MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究
MnxSi1-x자성박막적결구연구
Structural study of MnxSi1-x magnetic semiconductor thin films
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2008年 7期 4322-4327 ,共6页

    任鹏%刘忠良%叶剑%姜泳%刘金锋%孙玉%徐彭寿%孙治湖%潘志云%闰文盛%韦世强

    임붕%류충량%협검%강영%류금봉%손옥%서팽수%손치호%반지운%윤문성%위세강

    MnxSi1-x%磁性薄膜%分子束外延%XRD%XANES MnxSi1-x%磁性薄膜%分子束外延%XRD%XANES
    MnxSi1-x%자성박막%분자속외연%XRD%XANES
    利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.
    이용X사선연사(XRD)화X사선흡수근변결구(XANES)방법연구료재Si(100)츤저상급600℃온도조건하용분자속외연(MBE)공증발방법생장적MnxSi1-x자성박막적결구.유XRD결과표명,지유재고Mn함량(8%화17%)양품중존재착Mn4Si7화합물물상.이XANES결과칙현시,대우Mn농도재0.7%도17%지간적MnxSi1-x양품,기Mn원자적XANES보표현출료일치적보선특정.기우다중산사적XANES이론계산진일보표명,지유근거Mn4Si7모형계산출적이론XANES보재능구흔호적중구출MnxSi1-x양품적실험XANES보.저사연구결과설명재MnxSi1-x양품중,Mn원자주요시이양감식적Mn4Si7화합물납미정과립존재우Si박막개질중,궤호불존재간극위화체대위적Mn원자.
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