微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
4期
559-562,566
,共5页
吸潮%湿热应力%QFN器件
吸潮%濕熱應力%QFN器件
흡조%습열응력%QFN기건
由吸潮引起的微电子塑封器件失效已经越来越多地引起人们的关注.选用QFN器件作为研究对象,首先进行QFN器件在高温高湿环境下吸潮17 h、50 h、96 h试验;然后利用有限元软件分析和模拟潮湿在QFN器件中的扩散行为,并建立湿气预处理阶段应力计算模型;最后,通过试验与仿真相结合,分析潮湿对封装可靠性的影响.研究表明:微电子塑封器件的潮湿扩散速度与位置有着重要的关系;在高温高湿环境下,微电子器件吸潮产生的湿热应力在模塑封装材料(EMC)、硅芯片(DIE)和芯下材料(DA)的交界处最大;QFN器件在高温高湿环境下吸潮产生的裂纹主要出现在硅芯片与DA材料交界面的边界.
由吸潮引起的微電子塑封器件失效已經越來越多地引起人們的關註.選用QFN器件作為研究對象,首先進行QFN器件在高溫高濕環境下吸潮17 h、50 h、96 h試驗;然後利用有限元軟件分析和模擬潮濕在QFN器件中的擴散行為,併建立濕氣預處理階段應力計算模型;最後,通過試驗與倣真相結閤,分析潮濕對封裝可靠性的影響.研究錶明:微電子塑封器件的潮濕擴散速度與位置有著重要的關繫;在高溫高濕環境下,微電子器件吸潮產生的濕熱應力在模塑封裝材料(EMC)、硅芯片(DIE)和芯下材料(DA)的交界處最大;QFN器件在高溫高濕環境下吸潮產生的裂紋主要齣現在硅芯片與DA材料交界麵的邊界.
유흡조인기적미전자소봉기건실효이경월래월다지인기인문적관주.선용QFN기건작위연구대상,수선진행QFN기건재고온고습배경하흡조17 h、50 h、96 h시험;연후이용유한원연건분석화모의조습재QFN기건중적확산행위,병건립습기예처리계단응력계산모형;최후,통과시험여방진상결합,분석조습대봉장가고성적영향.연구표명:미전자소봉기건적조습확산속도여위치유착중요적관계;재고온고습배경하,미전자기건흡조산생적습열응력재모소봉장재료(EMC)、규심편(DIE)화심하재료(DA)적교계처최대;QFN기건재고온고습배경하흡조산생적렬문주요출현재규심편여DA재료교계면적변계.
