微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
4期
555-558
,共4页
褚忠强%徐曦%牟维兵%詹峻岭%赵刚
褚忠彊%徐晞%牟維兵%詹峻嶺%趙剛
저충강%서희%모유병%첨준령%조강
单片机系统%单元电路%总剂量辐照%剂量增强效应
單片機繫統%單元電路%總劑量輻照%劑量增彊效應
단편궤계통%단원전로%총제량복조%제량증강효응
研究了主要由N80C196KC20、PSD501B1和X24F128三部分组成的单片机系统在X射线辐射环境中的剂量增强效应.对系统及三部分单元电路进行了X射线和γ射线的总剂量对比辐照实验,测量了系统工作电流,同时监测196芯片和PSD芯片输出波形的变化.研究了单元电路的辐照敏感性对系统辐射损伤的贡献,得到了系统及单元电路的剂量增强系数.从实验结果综合分析得出:相对而言,PSD单元电路是辐射敏感区域,严重影响了系统的抗辐射能力;系统和单元电路的剂量增强并不显著,一方面,芯片采用的是塑封工艺,不存在重金属材料,另一方面,封装外壳吸收了部分低能X射线,实验测量到的剂量增强系数小于真实值.
研究瞭主要由N80C196KC20、PSD501B1和X24F128三部分組成的單片機繫統在X射線輻射環境中的劑量增彊效應.對繫統及三部分單元電路進行瞭X射線和γ射線的總劑量對比輻照實驗,測量瞭繫統工作電流,同時鑑測196芯片和PSD芯片輸齣波形的變化.研究瞭單元電路的輻照敏感性對繫統輻射損傷的貢獻,得到瞭繫統及單元電路的劑量增彊繫數.從實驗結果綜閤分析得齣:相對而言,PSD單元電路是輻射敏感區域,嚴重影響瞭繫統的抗輻射能力;繫統和單元電路的劑量增彊併不顯著,一方麵,芯片採用的是塑封工藝,不存在重金屬材料,另一方麵,封裝外殼吸收瞭部分低能X射線,實驗測量到的劑量增彊繫數小于真實值.
연구료주요유N80C196KC20、PSD501B1화X24F128삼부분조성적단편궤계통재X사선복사배경중적제량증강효응.대계통급삼부분단원전로진행료X사선화γ사선적총제량대비복조실험,측량료계통공작전류,동시감측196심편화PSD심편수출파형적변화.연구료단원전로적복조민감성대계통복사손상적공헌,득도료계통급단원전로적제량증강계수.종실험결과종합분석득출:상대이언,PSD단원전로시복사민감구역,엄중영향료계통적항복사능력;계통화단원전로적제량증강병불현저,일방면,심편채용적시소봉공예,불존재중금속재료,령일방면,봉장외각흡수료부분저능X사선,실험측량도적제량증강계수소우진실치.
