阻变存储器及其集成技术研究进展
조변존저기급기집성기술연구진전
Progress in Development of Resistive RAM and Its Integration Technology
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2009年 4期 546-551 ,共6页

    左青云%刘明%龙世兵%王琴%胡媛%刘琦%张森%王艳%李颖弢

    좌청운%류명%룡세병%왕금%호원%류기%장삼%왕염%리영도

    非挥发性存储器%阻变存储器%电阻转变 非揮髮性存儲器%阻變存儲器%電阻轉變
    비휘발성존저기%조변존저기%전조전변
    在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力.介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及制备工艺,对RRAM阵列的集成方案进行了比较,并讨论了目前存在的问题;最后,对RRAM的研究趋势进行了展望.
    재각충신형비휘발성존저기중,조변존저기(RRAM)구유성위하일대존저기적잠력.개소료RRAM기건적기본결구,분류총결료상용적재료이급제비공예,대RRAM진렬적집성방안진행료비교,병토론료목전존재적문제;최후,대RRAM적연구추세진행료전망.
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