微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
4期
511-515
,共5页
高海军%阴亚东%郭桂良%杜占坤%阎跃鹏
高海軍%陰亞東%郭桂良%杜佔坤%閻躍鵬
고해군%음아동%곽계량%두점곤%염약붕
正交本振%压控振荡器%高频缓冲放大器%电流复用%无源多相滤波器
正交本振%壓控振盪器%高頻緩遲放大器%電流複用%無源多相濾波器
정교본진%압공진탕기%고빈완충방대기%전류복용%무원다상려파기
介绍了一个基于0.25 μm CMOS工艺的2.645 GHz正交本振产生电路.该电路由LC-压控振荡器,高频缓冲放大器和二阶无源多相滤波器组成.差分高频缓冲放大器采用电流复用技术降低功耗;同时,这种电路结构只需一组LC谐振网络作负载,可以大大减小芯片面积.为了提高正交信号的匹配精度,提出一种新的二阶无源多相滤波器的版图布局;这种布局实现了器件之间的精确匹配,减小了寄生电容和电阻.测试结果显示,VCO振荡范围为2.46～2.78 GHz;在输出频率为2.645 GHz 时的相位噪声为-120 dBc/Hz @ 1 MHz;当二阶无源多相滤波器的输出幅度为0.86 dBm时,高频放大器消耗的电流仅为5 mA.测试得到I/Q四路的最大幅度失配为1.1%,后仿真的相位误差为0.6o.
介紹瞭一箇基于0.25 μm CMOS工藝的2.645 GHz正交本振產生電路.該電路由LC-壓控振盪器,高頻緩遲放大器和二階無源多相濾波器組成.差分高頻緩遲放大器採用電流複用技術降低功耗;同時,這種電路結構隻需一組LC諧振網絡作負載,可以大大減小芯片麵積.為瞭提高正交信號的匹配精度,提齣一種新的二階無源多相濾波器的版圖佈跼;這種佈跼實現瞭器件之間的精確匹配,減小瞭寄生電容和電阻.測試結果顯示,VCO振盪範圍為2.46～2.78 GHz;在輸齣頻率為2.645 GHz 時的相位譟聲為-120 dBc/Hz @ 1 MHz;噹二階無源多相濾波器的輸齣幅度為0.86 dBm時,高頻放大器消耗的電流僅為5 mA.測試得到I/Q四路的最大幅度失配為1.1%,後倣真的相位誤差為0.6o.
개소료일개기우0.25 μm CMOS공예적2.645 GHz정교본진산생전로.해전로유LC-압공진탕기,고빈완충방대기화이계무원다상려파기조성.차분고빈완충방대기채용전류복용기술강저공모;동시,저충전로결구지수일조LC해진망락작부재,가이대대감소심편면적.위료제고정교신호적필배정도,제출일충신적이계무원다상려파기적판도포국;저충포국실현료기건지간적정학필배,감소료기생전용화전조.측시결과현시,VCO진탕범위위2.46～2.78 GHz;재수출빈솔위2.645 GHz 시적상위조성위-120 dBc/Hz @ 1 MHz;당이계무원다상려파기적수출폭도위0.86 dBm시,고빈방대기소모적전류부위5 mA.측시득도I/Q사로적최대폭도실배위1.1%,후방진적상위오차위0.6o.
