世界科技研究与发展
世界科技研究與髮展
세계과기연구여발전
WORLD SCI-TECH R & D
2009年
4期
649-651
,共3页
廖新鼎%敖发良%舒芳%陈辉
廖新鼎%敖髮良%舒芳%陳輝
료신정%오발량%서방%진휘
低噪声放大器%超宽带%增益%噪声系数
低譟聲放大器%超寬帶%增益%譟聲繫數
저조성방대기%초관대%증익%조성계수
采用标准0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了工作频段在2.4～6 GHz可应用于无线局域网(WLAN)和超宽带(UWB)接收机的超宽带低噪声放大器.从宽带电路的选择、高频电路设计的器件选择和电路结构的选择等方面讨论了如何进行超宽带低噪声放大器的设计.结果表明,通过合适的电路结构和器件参数选择,可以采用0.5μmGaAs PHEMT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器.在UWB 3.1～5.15 GHz低频带内,该LNA增益20.8～21.6 dB,噪声系数低于0.9～1.1 dB,输入输出驻波比均小于-10 dB.在2.4～3 GHz频带(涵盖802.11 b/g的使用范围)内,该LNA增益20.8～21.5 dB,噪声系数低于2 dB,输入输出驻波比均小于-10 dB.在频带5.2-6GHz,该LNA的噪声系数增大到1.332 dB,增益则从21.4 dB下降到19.7 dB.电路的工作电压为3.3 V.
採用標準0.5μm GaAs PHEMT工藝設計瞭工作頻段在2.4～6 GHz可應用于無線跼域網(WLAN)和超寬帶(UWB)接收機的超寬帶低譟聲放大器.從寬帶電路的選擇、高頻電路設計的器件選擇和電路結構的選擇等方麵討論瞭如何進行超寬帶低譟聲放大器的設計.結果錶明,通過閤適的電路結構和器件參數選擇,可以採用0.5μmGaAs PHEMT工藝製備滿足超寬帶繫統要求的低譟聲放大器.在UWB 3.1～5.15 GHz低頻帶內,該LNA增益20.8～21.6 dB,譟聲繫數低于0.9～1.1 dB,輸入輸齣駐波比均小于-10 dB.在2.4～3 GHz頻帶(涵蓋802.11 b/g的使用範圍)內,該LNA增益20.8～21.5 dB,譟聲繫數低于2 dB,輸入輸齣駐波比均小于-10 dB.在頻帶5.2-6GHz,該LNA的譟聲繫數增大到1.332 dB,增益則從21.4 dB下降到19.7 dB.電路的工作電壓為3.3 V.
채용표준0.5μm GaAs PHEMT공예설계료공작빈단재2.4～6 GHz가응용우무선국역망(WLAN)화초관대(UWB)접수궤적초관대저조성방대기.종관대전로적선택、고빈전로설계적기건선택화전로결구적선택등방면토론료여하진행초관대저조성방대기적설계.결과표명,통과합괄적전로결구화기건삼수선택,가이채용0.5μmGaAs PHEMT공예제비만족초관대계통요구적저조성방대기.재UWB 3.1～5.15 GHz저빈대내,해LNA증익20.8～21.6 dB,조성계수저우0.9～1.1 dB,수입수출주파비균소우-10 dB.재2.4～3 GHz빈대(함개802.11 b/g적사용범위)내,해LNA증익20.8～21.5 dB,조성계수저우2 dB,수입수출주파비균소우-10 dB.재빈대5.2-6GHz,해LNA적조성계수증대도1.332 dB,증익칙종21.4 dB하강도19.7 dB.전로적공작전압위3.3 V.
