宇航材料工艺
宇航材料工藝
우항재료공예
AEROSPACE MATERIALS & TECHNOLOGY
2013年
2期
78-82
,共5页
王玲玲%张玲%嵇阿琳%崔红%闫联生
王玲玲%張玲%嵇阿琳%崔紅%閆聯生
왕령령%장령%혜아림%최홍%염련생
C/C-SiC复合材料%SiC涂层%抗烧蚀性能
C/C-SiC複閤材料%SiC塗層%抗燒蝕性能
C/C-SiC복합재료%SiC도층%항소식성능
C/C-SiC composites%SiC coatings%Anti-ablative performance
采用CVD法,1 050℃在三维针刺C/C-SiC复合材料表面制备SiC涂层,研究稀释气体与载气流量比分别为4∶1和2∶1制备条件下涂层的晶体结构、表面和断面的微观形貌,对比了涂层前后C/C-SiC复合材料的抗烧蚀性能.结果表明:稀释气体流量降低其制备的SiC涂层更加平整致密,与基体结合程度更好,沉积产物均为单一的β-SiC结晶相.在600 s的氧化烧蚀下,两种流量比条件下制备CVD-SiC涂层的C/C-SiC复合材料的线烧蚀率比未涂层的分别降低34％和50％,质量烧蚀率分别降低70％和75％,抗氧化烧蚀性能明显提高.
採用CVD法,1 050℃在三維針刺C/C-SiC複閤材料錶麵製備SiC塗層,研究稀釋氣體與載氣流量比分彆為4∶1和2∶1製備條件下塗層的晶體結構、錶麵和斷麵的微觀形貌,對比瞭塗層前後C/C-SiC複閤材料的抗燒蝕性能.結果錶明:稀釋氣體流量降低其製備的SiC塗層更加平整緻密,與基體結閤程度更好,沉積產物均為單一的β-SiC結晶相.在600 s的氧化燒蝕下,兩種流量比條件下製備CVD-SiC塗層的C/C-SiC複閤材料的線燒蝕率比未塗層的分彆降低34％和50％,質量燒蝕率分彆降低70％和75％,抗氧化燒蝕性能明顯提高.
채용CVD법,1 050℃재삼유침자C/C-SiC복합재료표면제비SiC도층,연구희석기체여재기류량비분별위4∶1화2∶1제비조건하도층적정체결구、표면화단면적미관형모,대비료도층전후C/C-SiC복합재료적항소식성능.결과표명:희석기체류량강저기제비적SiC도층경가평정치밀,여기체결합정도경호,침적산물균위단일적β-SiC결정상.재600 s적양화소식하,량충류량비조건하제비CVD-SiC도층적C/C-SiC복합재료적선소식솔비미도층적분별강저34％화50％,질량소식솔분별강저70％화75％,항양화소식성능명현제고.
