光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2009年
9期
2325-2329
,共5页
黄金英%徐征%张福俊%赵谡玲%袁广才%孔超
黃金英%徐徵%張福俊%趙謖玲%袁廣纔%孔超
황금영%서정%장복준%조속령%원엄재%공초
并五苯%PMMA%二氧化硅%有机薄膜晶体管
併五苯%PMMA%二氧化硅%有機薄膜晶體管
병오분%PMMA%이양화규%유궤박막정체관
分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的件能,其场效应迁移率为0.207 cm2·Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.039 cm2·Vs-1,开关电流比为5.98×102,阈值电压为-5.4 V.为分析器件性能差异的原因,测得了SiO2和PMMA薄膜表面的AFM图谱及其上沉积并五苯薄膜后的AFM和XRD图谱.通过AFM图谱发现PMMA表面较SiO2表面粗糙度小,其表面粗糙度的均方根值为0.216 nm,而二氧化硅薄膜表面粗糙度的均方根值为1.579 nm;且发现在PMMA上生长的并五苯薄膜的成膜质量优于在SiO2,具有较大的品粒尺寸和较少的晶粒间界.通过XRDm图谱发现在PMMA上生长的并五苯薄膜具有明显的衍射峰,进一步证明了在PMMA上生长的并五苯薄膜具有更好的结晶状况,将更有利于载流子的传输.
分彆以SiO2和PMMA為絕緣層材料製備瞭底柵頂接觸結構的OTFT器件,得到以PMMA為絕緣層的器件具有更好的件能,其場效應遷移率為0.207 cm2·Vs-1,開關電流比為4.93×103,閾值電壓為-4.3 V;而以SiO2為絕緣層的器件,其場效應遷移率僅為0.039 cm2·Vs-1,開關電流比為5.98×102,閾值電壓為-5.4 V.為分析器件性能差異的原因,測得瞭SiO2和PMMA薄膜錶麵的AFM圖譜及其上沉積併五苯薄膜後的AFM和XRD圖譜.通過AFM圖譜髮現PMMA錶麵較SiO2錶麵粗糙度小,其錶麵粗糙度的均方根值為0.216 nm,而二氧化硅薄膜錶麵粗糙度的均方根值為1.579 nm;且髮現在PMMA上生長的併五苯薄膜的成膜質量優于在SiO2,具有較大的品粒呎吋和較少的晶粒間界.通過XRDm圖譜髮現在PMMA上生長的併五苯薄膜具有明顯的衍射峰,進一步證明瞭在PMMA上生長的併五苯薄膜具有更好的結晶狀況,將更有利于載流子的傳輸.
분별이SiO2화PMMA위절연층재료제비료저책정접촉결구적OTFT기건,득도이PMMA위절연층적기건구유경호적건능,기장효응천이솔위0.207 cm2·Vs-1,개관전류비위4.93×103,역치전압위-4.3 V;이이SiO2위절연층적기건,기장효응천이솔부위0.039 cm2·Vs-1,개관전류비위5.98×102,역치전압위-5.4 V.위분석기건성능차이적원인,측득료SiO2화PMMA박막표면적AFM도보급기상침적병오분박막후적AFM화XRD도보.통과AFM도보발현PMMA표면교SiO2표면조조도소,기표면조조도적균방근치위0.216 nm,이이양화규박막표면조조도적균방근치위1.579 nm;차발현재PMMA상생장적병오분박막적성막질량우우재SiO2,구유교대적품립척촌화교소적정립간계.통과XRDm도보발현재PMMA상생장적병오분박막구유명현적연사봉,진일보증명료재PMMA상생장적병오분박막구유경호적결정상황,장경유리우재류자적전수.
