强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2010年
2期
397-400
,共4页
陈雷锋%季振国%糜裕宏%毛启楠
陳雷鋒%季振國%糜裕宏%毛啟楠
진뢰봉%계진국%미유굉%모계남
碳纳米管%场发射%绝缘势垒%隧穿几率%双势垒模型%非线性F-N曲线
碳納米管%場髮射%絕緣勢壘%隧穿幾率%雙勢壘模型%非線性F-N麯線
탄납미관%장발사%절연세루%수천궤솔%쌍세루모형%비선성F-N곡선
carbon nanotubes%field emission%dielectric barrier%tunneling probability%double-barrier model%nonlinear F-N plots
以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响.场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和.在双势垒模型的基础上,从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同,理论上分析了界面势垒对场发射的影响:低电场下电子在界面势垒的隧穿几率大于在表面势垒的隧穿几率,界面势垒对场发射不起阻碍作用,场发射遵守F-N规律;高电场下电子在界面势垒的隧穿几率小于在表面势垒的隧穿几率,场发射偏离F-N规律.理论对实验结果进行了合理的解释.
以界麵勢壘對碳納米管(CNT)場髮射的影響為研究目的,在硅襯底上引進很薄的二氧化硅層,以二氧化硅層作為絕緣勢壘,然後在二氧化硅界麵層上直接生長CNT,來研究二氧化硅絕緣勢壘層對CNT場髮射的影響.場髮射結果為:Fowler-Nordheim(F-N)麯線分為兩部分,高電場下偏離F-N麯線併趨于飽和.在雙勢壘模型的基礎上,從電場在兩勢壘上的分佈不同及電子在兩勢壘上的隧穿幾率不同,理論上分析瞭界麵勢壘對場髮射的影響:低電場下電子在界麵勢壘的隧穿幾率大于在錶麵勢壘的隧穿幾率,界麵勢壘對場髮射不起阻礙作用,場髮射遵守F-N規律;高電場下電子在界麵勢壘的隧穿幾率小于在錶麵勢壘的隧穿幾率,場髮射偏離F-N規律.理論對實驗結果進行瞭閤理的解釋.
이계면세루대탄납미관(CNT)장발사적영향위연구목적,재규츤저상인진흔박적이양화규층,이이양화규층작위절연세루,연후재이양화규계면층상직접생장CNT,래연구이양화규절연세루층대CNT장발사적영향.장발사결과위:Fowler-Nordheim(F-N)곡선분위량부분,고전장하편리F-N곡선병추우포화.재쌍세루모형적기출상,종전장재량세루상적분포불동급전자재량세루상적수천궤솔불동,이론상분석료계면세루대장발사적영향:저전장하전자재계면세루적수천궤솔대우재표면세루적수천궤솔,계면세루대장발사불기조애작용,장발사준수F-N규률;고전장하전자재계면세루적수천궤솔소우재표면세루적수천궤솔,장발사편리F-N규률.이론대실험결과진행료합리적해석.
