人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
1期
190-196
,共7页
杨世才%阿布都艾则孜·阿布来提%简基康%郑毓峰%孙言飞%吴荣
楊世纔%阿佈都艾則孜·阿佈來提%簡基康%鄭毓峰%孫言飛%吳榮
양세재%아포도애칙자·아포래제%간기강%정육봉%손언비%오영
氮化铝%磁控反应溅射%择优取向
氮化鋁%磁控反應濺射%擇優取嚮
담화려%자공반응천사%택우취향
AlN%magnetron reactive sputtering%preferred orientation
在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370 ℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜.X射线衍射图谱表明:温度大于180 ℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜.衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善. 1.5 Pa的纯氮气气氛和Si(100)衬底是最佳择优生长条件.由紫外-可见光透射谱计算得到:在石英衬底上沉积的薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为 1 μm、光学能隙为6.1 eV.原子力显微镜照片表明:在Si(100)衬底上制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2～13.2 nm.
在不同氮氣濃度、不同濺射氣壓和襯底溫度為20～370 ℃的條件下,分彆在多種襯底上採用反應磁控濺射法沉積AlN薄膜.X射線衍射圖譜錶明:溫度大于180 ℃時可在多種襯底上沉積齣具有c軸擇優取嚮的纖鋅礦AlN薄膜.襯底溫度和濺射時間的增加有利于薄膜結晶性的改善. 1.5 Pa的純氮氣氣氛和Si(100)襯底是最佳擇優生長條件.由紫外-可見光透射譜計算得到:在石英襯底上沉積的薄膜摺射率為1.80～1.85,膜厚約為 1 μm、光學能隙為6.1 eV.原子力顯微鏡照片錶明:在Si(100)襯底上製備的薄膜錶麵平滑,均方根粗糙度為2.2～13.2 nm.
재불동담기농도、불동천사기압화츤저온도위20～370 ℃적조건하,분별재다충츤저상채용반응자공천사법침적AlN박막.X사선연사도보표명:온도대우180 ℃시가재다충츤저상침적출구유c축택우취향적섬자광AlN박막.츤저온도화천사시간적증가유리우박막결정성적개선. 1.5 Pa적순담기기분화Si(100)츤저시최가택우생장조건.유자외-가견광투사보계산득도:재석영츤저상침적적박막절사솔위1.80～1.85,막후약위 1 μm、광학능극위6.1 eV.원자력현미경조편표명:재Si(100)츤저상제비적박막표면평활,균방근조조도위2.2～13.2 nm.
