人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
1期
185-189
,共5页
刘汉法%袁玉珍%张化福%袁长坤
劉漢法%袁玉珍%張化福%袁長坤
류한법%원옥진%장화복%원장곤
ZnO:Ti薄膜%透明导电薄膜%溅射压强%磁控溅射
ZnO:Ti薄膜%透明導電薄膜%濺射壓彊%磁控濺射
ZnO:Ti박막%투명도전박막%천사압강%자공천사
titanium-doped zinc oxide films%transparent conducting films%sputtering pressure%magnetron sputtering
利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了高质量的掺钛氧化锌透明导电薄膜(ZnO: Ti).研究了溅射压强对ZnO: Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射压强对ZnO: Ti 薄膜的结构和电阻率有显著影响.X射线衍射(XRD)表明,ZnO: Ti 薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.在溅射压强为5.0 Pa时,实验获得的ZnO: Ti薄膜电阻率最小值为1.084 ×10~(-4) Ω· cm.实验制备的ZnO: Ti 薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过91%.ZnO: Ti薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.
利用直流磁控濺射法在室溫水冷玻璃襯底上製備齣瞭高質量的摻鈦氧化鋅透明導電薄膜(ZnO: Ti).研究瞭濺射壓彊對ZnO: Ti薄膜結構、形貌和光電性能的影響.研究結果錶明,濺射壓彊對ZnO: Ti 薄膜的結構和電阻率有顯著影響.X射線衍射(XRD)錶明,ZnO: Ti 薄膜為六角纖鋅礦結構的多晶薄膜,且具有c軸擇優取嚮.在濺射壓彊為5.0 Pa時,實驗穫得的ZnO: Ti薄膜電阻率最小值為1.084 ×10~(-4) Ω· cm.實驗製備的ZnO: Ti 薄膜具有良好的附著性能,可見光區平均透過率超過91%.ZnO: Ti薄膜可以用作薄膜太暘能電池和液晶顯示器的透明電極.
이용직류자공천사법재실온수랭파리츤저상제비출료고질량적참태양화자투명도전박막(ZnO: Ti).연구료천사압강대ZnO: Ti박막결구、형모화광전성능적영향.연구결과표명,천사압강대ZnO: Ti 박막적결구화전조솔유현저영향.X사선연사(XRD)표명,ZnO: Ti 박막위륙각섬자광결구적다정박막,차구유c축택우취향.재천사압강위5.0 Pa시,실험획득적ZnO: Ti박막전조솔최소치위1.084 ×10~(-4) Ω· cm.실험제비적ZnO: Ti 박막구유량호적부착성능,가견광구평균투과솔초과91%.ZnO: Ti박막가이용작박막태양능전지화액정현시기적투명전겁.
