人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
1期
130-134
,共5页
张湘辉%汪灵%龙剑平%常嗣和
張湘輝%汪靈%龍劍平%常嗣和
장상휘%왕령%룡검평%상사화
金刚石薄膜%晶体特征%直流弧光放电等离子体CVD
金剛石薄膜%晶體特徵%直流弧光放電等離子體CVD
금강석박막%정체특정%직류호광방전등리자체CVD
diamond film%crystal feature%DC arc discharge plasma chemical vapor deposition
本文采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,在YG6硬质合金基体上进行了不同氩气流量下金刚石薄膜的制备研究.采用SEM对金刚石薄膜的晶体特征进行了观察.结果表明,氩气对直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜的晶体特征有明显影响.在CH_4/H_2恒定时(0.8%),硬质合金基体上制备的金刚石薄膜表面形貌随Ar流量增加而变化的规律,即从以(111)八面体晶面为主→(111)和(100)立方八面体混杂晶面→以(100)立方体晶面为主→菜花状的顺序转变;当Ar流量为420～700 mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由1.5 μm 逐步增大到7 μm;Ar流量为700～910 mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由7 μm急剧减小到纳米尺度,约50 nm.
本文採用自主研製的直流弧光放電等離子體CVD設備,在YG6硬質閤金基體上進行瞭不同氬氣流量下金剛石薄膜的製備研究.採用SEM對金剛石薄膜的晶體特徵進行瞭觀察.結果錶明,氬氣對直流弧光放電等離子體CVD金剛石薄膜的晶體特徵有明顯影響.在CH_4/H_2恆定時(0.8%),硬質閤金基體上製備的金剛石薄膜錶麵形貌隨Ar流量增加而變化的規律,即從以(111)八麵體晶麵為主→(111)和(100)立方八麵體混雜晶麵→以(100)立方體晶麵為主→菜花狀的順序轉變;噹Ar流量為420～700 mL/min時,金剛石晶粒的平均呎吋由1.5 μm 逐步增大到7 μm;Ar流量為700～910 mL/min時,金剛石晶粒的平均呎吋由7 μm急劇減小到納米呎度,約50 nm.
본문채용자주연제적직류호광방전등리자체CVD설비,재YG6경질합금기체상진행료불동아기류량하금강석박막적제비연구.채용SEM대금강석박막적정체특정진행료관찰.결과표명,아기대직류호광방전등리자체CVD금강석박막적정체특정유명현영향.재CH_4/H_2항정시(0.8%),경질합금기체상제비적금강석박막표면형모수Ar류량증가이변화적규률,즉종이(111)팔면체정면위주→(111)화(100)립방팔면체혼잡정면→이(100)립방체정면위주→채화상적순서전변;당Ar류량위420～700 mL/min시,금강석정립적평균척촌유1.5 μm 축보증대도7 μm;Ar류량위700～910 mL/min시,금강석정립적평균척촌유7 μm급극감소도납미척도,약50 nm.
