人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
1期
25-28
,共4页
王振友%吴海信%倪友保%毛明生%黄飞%陈林
王振友%吳海信%倪友保%毛明生%黃飛%陳林
왕진우%오해신%예우보%모명생%황비%진림
AgGaGeS_4晶体%布里奇曼法%倍频%损伤阈值
AgGaGeS_4晶體%佈裏奇曼法%倍頻%損傷閾值
AgGaGeS_4정체%포리기만법%배빈%손상역치
AgGaGeS_4 crystal%Bridgman method%SHG%damage threshold
采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸φ30 mm×80 mm的AgGaGeS_4单晶.X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整.单晶元件在1.5～9.6 μm波段平均吸收系数约为0.25 cm~(-1),其中6.7～7.8 μm波段小于0.02 cm~(-1).制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°, φ=0°,尺寸7 mm×7 mm×2.7 mm),在中心波长8.0305 μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153 μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°.利用波长2.05 μm、脉冲宽度20 ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270 MW/cm~2. 结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析.
採用豎式佈裏奇曼法成功生長齣大呎吋φ30 mm×80 mm的AgGaGeS_4單晶.X射線搖襬麯線測試結果錶明該單晶結構完整.單晶元件在1.5～9.6 μm波段平均吸收繫數約為0.25 cm~(-1),其中6.7～7.8 μm波段小于0.02 cm~(-1).製備的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°, φ=0°,呎吋7 mm×7 mm×2.7 mm),在中心波長8.0305 μm基頻光泵浦下,倍頻輸齣瞭4.0153 μm紅外激光,實驗測得其實際相位匹配角為42.2°.利用波長2.05 μm、脈遲寬度20 ns的激光光源,測得其激光抗損傷閾值為270 MW/cm~2. 結閤相圖及溫場分佈對晶體生長過程中的關鍵問題進行瞭分析.
채용수식포리기만법성공생장출대척촌φ30 mm×80 mm적AgGaGeS_4단정.X사선요파곡선측시결과표명해단정결구완정.단정원건재1.5～9.6 μm파단평균흡수계수약위0.25 cm~(-1),기중6.7～7.8 μm파단소우0.02 cm~(-1).제비적Ⅰ형상위필배정편원건(절각θ=43.5°, φ=0°,척촌7 mm×7 mm×2.7 mm),재중심파장8.0305 μm기빈광빙포하,배빈수출료4.0153 μm홍외격광,실험측득기실제상위필배각위42.2°.이용파장2.05 μm、맥충관도20 ns적격광광원,측득기격광항손상역치위270 MW/cm~2. 결합상도급온장분포대정체생장과정중적관건문제진행료분석.
