人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
1期
267-271
,共5页
王国斌%左然%徐谦%李晖%于海群%陈景升
王國斌%左然%徐謙%李暉%于海群%陳景升
왕국빈%좌연%서겸%리휘%우해군%진경승
MOCVD反应器%切向喷射%中心出口%螺旋流动%数值模拟
MOCVD反應器%切嚮噴射%中心齣口%螺鏇流動%數值模擬
MOCVD반응기%절향분사%중심출구%라선류동%수치모의
MOCVD reactor%tangential inlets%center outlet%vortex flow%numerical simulation
本文提出一种新的切向喷射式MOCVD反应器,反应气体从均匀分布于内壁的切向进口喷管喷入反应器,尾气从位于反应器中心的上方或下方出口排出.通过切向喷射,使气体发生人工可控的螺旋流,在水平方向逐渐旋转与加速,从而补偿反应物浓度从边缘进口到中心出口的沿程损失,以便获得均匀的薄膜沉积.针对新的反应器设计,结合GaN的MOCVD生长进行了三维数值模拟,确定了喷管夹角、喷管数目和反应器高度对生长区的温场、流场和浓度场的影响,优化了参数组合,并与传统的垂直喷射式反应器作了对比.此外,这款新型反应器能够摆脱复杂的托盘旋转系统.
本文提齣一種新的切嚮噴射式MOCVD反應器,反應氣體從均勻分佈于內壁的切嚮進口噴管噴入反應器,尾氣從位于反應器中心的上方或下方齣口排齣.通過切嚮噴射,使氣體髮生人工可控的螺鏇流,在水平方嚮逐漸鏇轉與加速,從而補償反應物濃度從邊緣進口到中心齣口的沿程損失,以便穫得均勻的薄膜沉積.針對新的反應器設計,結閤GaN的MOCVD生長進行瞭三維數值模擬,確定瞭噴管夾角、噴管數目和反應器高度對生長區的溫場、流場和濃度場的影響,優化瞭參數組閤,併與傳統的垂直噴射式反應器作瞭對比.此外,這款新型反應器能夠襬脫複雜的託盤鏇轉繫統.
본문제출일충신적절향분사식MOCVD반응기,반응기체종균균분포우내벽적절향진구분관분입반응기,미기종위우반응기중심적상방혹하방출구배출.통과절향분사,사기체발생인공가공적라선류,재수평방향축점선전여가속,종이보상반응물농도종변연진구도중심출구적연정손실,이편획득균균적박막침적.침대신적반응기설계,결합GaN적MOCVD생장진행료삼유수치모의,학정료분관협각、분관수목화반응기고도대생장구적온장、류장화농도장적영향,우화료삼수조합,병여전통적수직분사식반응기작료대비.차외,저관신형반응기능구파탈복잡적탁반선전계통.
