人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
1期
237-241
,共5页
邓书康%申兰先%郝瑞亭%田晶%杨培志
鄧書康%申蘭先%郝瑞亭%田晶%楊培誌
산서강%신란선%학서정%전정%양배지
I-型笼合物%热电材料%电传输特性
I-型籠閤物%熱電材料%電傳輸特性
I-형롱합물%열전재료%전전수특성
type-I clathrate%thermoelectric material%electrical transport property
用熔融法结合放电等离子体烧结技术,采用Zn掺杂制备了具有半导体传导特性的n型Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30) I-型笼合物,研究了Zn部分置换Ga对化合物电传输特性的影响.研究表明所制备的化合物为单相的具有空间群Pm3-n的I-型笼合物.Zn掺杂前对应化合物表现为金属传导特性,Zn掺杂后对应化合物表现为典型的杂质半导体传导特性.室温下,随Zn掺杂量的增加,化合物的载流子浓度和载流子有效质量逐渐降低;Zn掺杂对室温载流子迁移率无明显影响.在300～900 K温度范围内,随Zn掺杂量的增加对应化合物的电导率逐渐降低,Seebeck系数逐渐增加.Zn掺杂后对应化合物的功率因子与掺杂前相比有所降低,且达到最大值的温度都向低温方向偏移.
用鎔融法結閤放電等離子體燒結技術,採用Zn摻雜製備瞭具有半導體傳導特性的n型Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30) I-型籠閤物,研究瞭Zn部分置換Ga對化閤物電傳輸特性的影響.研究錶明所製備的化閤物為單相的具有空間群Pm3-n的I-型籠閤物.Zn摻雜前對應化閤物錶現為金屬傳導特性,Zn摻雜後對應化閤物錶現為典型的雜質半導體傳導特性.室溫下,隨Zn摻雜量的增加,化閤物的載流子濃度和載流子有效質量逐漸降低;Zn摻雜對室溫載流子遷移率無明顯影響.在300～900 K溫度範圍內,隨Zn摻雜量的增加對應化閤物的電導率逐漸降低,Seebeck繫數逐漸增加.Zn摻雜後對應化閤物的功率因子與摻雜前相比有所降低,且達到最大值的溫度都嚮低溫方嚮偏移.
용용융법결합방전등리자체소결기술,채용Zn참잡제비료구유반도체전도특성적n형Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30) I-형롱합물,연구료Zn부분치환Ga대화합물전전수특성적영향.연구표명소제비적화합물위단상적구유공간군Pm3-n적I-형롱합물.Zn참잡전대응화합물표현위금속전도특성,Zn참잡후대응화합물표현위전형적잡질반도체전도특성.실온하,수Zn참잡량적증가,화합물적재류자농도화재류자유효질량축점강저;Zn참잡대실온재류자천이솔무명현영향.재300～900 K온도범위내,수Zn참잡량적증가대응화합물적전도솔축점강저,Seebeck계수축점증가.Zn참잡후대응화합물적공솔인자여참잡전상비유소강저,차체도최대치적온도도향저온방향편이.
