人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
1期
226-231
,共6页
李志明%郝跃%张进成%许晟瑞%毕志伟%周小伟
李誌明%郝躍%張進成%許晟瑞%畢誌偉%週小偉
리지명%학약%장진성%허성서%필지위%주소위
GaN生长%MOCVD%数值仿真
GaN生長%MOCVD%數值倣真
GaN생장%MOCVD%수치방진
GaN growth%MOCVD%numerical simulation
在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关.通过分析涡旋产生的原因,对反应条件和反应室的几何条件作了进一步优化,发现在较低的反应室压强、较低的壁面温度和较大的气体入口半径条件下,能使涡旋明显减小,提高薄膜生长的均匀性.
在立式MOCVD反應室中,通過對生長氮化鎵(GaN)薄膜材料的倣真,髮現襯底錶麵反應物三甲基鎵物質的量的濃度分佈與實際生長的GaN薄膜的厚度分佈一緻,同時,倣真結果錶明,薄膜的厚度分佈與反應室內渦鏇的分佈相關.通過分析渦鏇產生的原因,對反應條件和反應室的幾何條件作瞭進一步優化,髮現在較低的反應室壓彊、較低的壁麵溫度和較大的氣體入口半徑條件下,能使渦鏇明顯減小,提高薄膜生長的均勻性.
재입식MOCVD반응실중,통과대생장담화가(GaN)박막재료적방진,발현츤저표면반응물삼갑기가물질적량적농도분포여실제생장적GaN박막적후도분포일치,동시,방진결과표명,박막적후도분포여반응실내와선적분포상관.통과분석와선산생적원인,대반응조건화반응실적궤하조건작료진일보우화,발현재교저적반응실압강、교저적벽면온도화교대적기체입구반경조건하,능사와선명현감소,제고박막생장적균균성.
