微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
3期
188-192
,共5页
聚二甲基硅氧烷%硅油%紫外纳米压印%软模板%浇铸法
聚二甲基硅氧烷%硅油%紫外納米壓印%軟模闆%澆鑄法
취이갑기규양완%규유%자외납미압인%연모판%요주법
软模板的制作是紫外纳米压印中关键的技术,模版的分辨率直接决定了压印图形的最小分辨率.使用具有高度均匀、100 nm级孔洞阵列结构的多孔氧化铝作为母版,使用基于液态浇铸的硅油稀释聚二甲基硅氧烷(硅油和聚二甲基硅氧烷的质量比为1:2)法制备出具有规则点阵结构的软模板.通过SEM和AFM表征发现,特征图形得到了有效转移,特征尺度保持在100 nm左右.相对于传统的模板制备方法,此方法成本低、流程简单、适合大规模生产,是一种非常有前途的软模板制备方法.
軟模闆的製作是紫外納米壓印中關鍵的技術,模版的分辨率直接決定瞭壓印圖形的最小分辨率.使用具有高度均勻、100 nm級孔洞陣列結構的多孔氧化鋁作為母版,使用基于液態澆鑄的硅油稀釋聚二甲基硅氧烷(硅油和聚二甲基硅氧烷的質量比為1:2)法製備齣具有規則點陣結構的軟模闆.通過SEM和AFM錶徵髮現,特徵圖形得到瞭有效轉移,特徵呎度保持在100 nm左右.相對于傳統的模闆製備方法,此方法成本低、流程簡單、適閤大規模生產,是一種非常有前途的軟模闆製備方法.
연모판적제작시자외납미압인중관건적기술,모판적분변솔직접결정료압인도형적최소분변솔.사용구유고도균균、100 nm급공동진렬결구적다공양화려작위모판,사용기우액태요주적규유희석취이갑기규양완(규유화취이갑기규양완적질량비위1:2)법제비출구유규칙점진결구적연모판.통과SEM화AFM표정발현,특정도형득도료유효전이,특정척도보지재100 nm좌우.상대우전통적모판제비방법,차방법성본저、류정간단、괄합대규모생산,시일충비상유전도적연모판제비방법.
