微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
3期
147-151
,共5页
白硕%丁冬雁%宁聪琴%秦锐%常程康%李明%毛大立
白碩%丁鼕雁%寧聰琴%秦銳%常程康%李明%毛大立
백석%정동안%저총금%진예%상정강%리명%모대립
氢气传感器%氧化钛%纳米管%阳极氧化%掺杂效应
氫氣傳感器%氧化鈦%納米管%暘極氧化%摻雜效應
경기전감기%양화태%납미관%양겁양화%참잡효응
以Ti35Nb合金为基材,通过阳极氧化和中温热处理制备了Nb掺杂TiO2纳米管阵列.通过掩模版和磁控溅射技术在纳米管阵列表面形成了Pt电极,随后在低浓度H2气氛中测试了Nb掺杂TiO2纳米管阵列的氢敏性能.实验结果表明阳极氧化温度是影响纳米管生长的一个重要因素,在阳极氧化电压为15 V和阳极氧化温度为30℃的条件下可以获得均匀开口的非晶纳米管阵列.将非晶纳米管在450℃热处理后可以获得锐钛矿结构纳米管阵列.氢传感实验结果表明,Nb掺杂TiO2纳米管对低浓度气氛具有室温氢敏特性.以上实验结果表明,通过合金化设计和阳极氧化可以制备出具有室温氢传感特性的掺杂纳米管阵列.
以Ti35Nb閤金為基材,通過暘極氧化和中溫熱處理製備瞭Nb摻雜TiO2納米管陣列.通過掩模版和磁控濺射技術在納米管陣列錶麵形成瞭Pt電極,隨後在低濃度H2氣氛中測試瞭Nb摻雜TiO2納米管陣列的氫敏性能.實驗結果錶明暘極氧化溫度是影響納米管生長的一箇重要因素,在暘極氧化電壓為15 V和暘極氧化溫度為30℃的條件下可以穫得均勻開口的非晶納米管陣列.將非晶納米管在450℃熱處理後可以穫得銳鈦礦結構納米管陣列.氫傳感實驗結果錶明,Nb摻雜TiO2納米管對低濃度氣氛具有室溫氫敏特性.以上實驗結果錶明,通過閤金化設計和暘極氧化可以製備齣具有室溫氫傳感特性的摻雜納米管陣列.
이Ti35Nb합금위기재,통과양겁양화화중온열처리제비료Nb참잡TiO2납미관진렬.통과엄모판화자공천사기술재납미관진렬표면형성료Pt전겁,수후재저농도H2기분중측시료Nb참잡TiO2납미관진렬적경민성능.실험결과표명양겁양화온도시영향납미관생장적일개중요인소,재양겁양화전압위15 V화양겁양화온도위30℃적조건하가이획득균균개구적비정납미관진렬.장비정납미관재450℃열처리후가이획득예태광결구납미관진렬.경전감실험결과표명,Nb참잡TiO2납미관대저농도기분구유실온경민특성.이상실험결과표명,통과합금화설계화양겁양화가이제비출구유실온경전감특성적참잡납미관진렬.
