上海大学学报（自然科学版）
上海大學學報（自然科學版）
상해대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SHANGHAI UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE EDITION)
2013年
6期
567-571
,共5页
邹荣%闵嘉华%储楚%梁小燕%张涛%滕家琪
鄒榮%閔嘉華%儲楚%樑小燕%張濤%滕傢琪
추영%민가화%저초%량소연%장도%등가기
BCD工艺%HVPMOS%电学性能%流片
BCD工藝%HVPMOS%電學性能%流片
BCD공예%HVPMOS%전학성능%류편
BCD (bipolar-CMOS-DMOS) process%HVPMOS%electrical property%tape out
为提高0.35 μm 30_40_50 V BCD (bipolar-CMOS-DMOS)工艺下50 V HVPMOS的电学性能,在不改变工艺流程的基础上,仅通过微调器件结构尺寸来实现电学性能的优化.采用Silvaco公司的工艺与器件模拟软件,仿真分析了沟道长度、overlap尺寸、场氧化层长度及场极板长度对50 V HVPMOS器件电学性能的影响.根据仿真结果确定了优化后的结构尺寸,并结合流片测试结果验证了优化方案的可行性.测试结果表明,优化后50 VHVPMOS的开启电压降低到了-0.98 V,击穿电压提高到了-68 V,特征导通电阻降低了13.5％,饱和电流提高了13.1％,器件的安全工作范围增大,饱和区更加平滑,无明显kink效应.
為提高0.35 μm 30_40_50 V BCD (bipolar-CMOS-DMOS)工藝下50 V HVPMOS的電學性能,在不改變工藝流程的基礎上,僅通過微調器件結構呎吋來實現電學性能的優化.採用Silvaco公司的工藝與器件模擬軟件,倣真分析瞭溝道長度、overlap呎吋、場氧化層長度及場極闆長度對50 V HVPMOS器件電學性能的影響.根據倣真結果確定瞭優化後的結構呎吋,併結閤流片測試結果驗證瞭優化方案的可行性.測試結果錶明,優化後50 VHVPMOS的開啟電壓降低到瞭-0.98 V,擊穿電壓提高到瞭-68 V,特徵導通電阻降低瞭13.5％,飽和電流提高瞭13.1％,器件的安全工作範圍增大,飽和區更加平滑,無明顯kink效應.
위제고0.35 μm 30_40_50 V BCD (bipolar-CMOS-DMOS)공예하50 V HVPMOS적전학성능,재불개변공예류정적기출상,부통과미조기건결구척촌래실현전학성능적우화.채용Silvaco공사적공예여기건모의연건,방진분석료구도장도、overlap척촌、장양화층장도급장겁판장도대50 V HVPMOS기건전학성능적영향.근거방진결과학정료우화후적결구척촌,병결합류편측시결과험증료우화방안적가행성.측시결과표명,우화후50 VHVPMOS적개계전압강저도료-0.98 V,격천전압제고도료-68 V,특정도통전조강저료13.5％,포화전류제고료13.1％,기건적안전공작범위증대,포화구경가평활,무명현kink효응.
