红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2009年
8期
467-470
,共4页
InSb焦平面阵列%各向同性%表面形貌%电感耦合等离子体(ICP)
InSb焦平麵陣列%各嚮同性%錶麵形貌%電感耦閤等離子體(ICP)
InSb초평면진렬%각향동성%표면형모%전감우합등리자체(ICP)
随着InSb红外焦平面阵列探测器的发展,焦平面阵列规模不断增大,像元面积越来越小.湿法刻蚀因为其各向同性刻蚀的特点,导致像元的钻蚀严重,已经难以满足大规格InSb焦平面器件的要求.采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb阵列芯片,研究不同腔体压力对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法.
隨著InSb紅外焦平麵陣列探測器的髮展,焦平麵陣列規模不斷增大,像元麵積越來越小.濕法刻蝕因為其各嚮同性刻蝕的特點,導緻像元的鑽蝕嚴重,已經難以滿足大規格InSb焦平麵器件的要求.採用電感耦閤等離子體(ICP)刻蝕大規格InSb陣列芯片,研究不同腔體壓力對刻蝕速率、錶麵形貌的影響及InSb錶麵殘留聚閤物的去除方法.
수착InSb홍외초평면진렬탐측기적발전,초평면진렬규모불단증대,상원면적월래월소.습법각식인위기각향동성각식적특점,도치상원적찬식엄중,이경난이만족대규격InSb초평면기건적요구.채용전감우합등리자체(ICP)각식대규격InSb진렬심편,연구불동강체압력대각식속솔、표면형모적영향급InSb표면잔류취합물적거제방법.
