电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
4期
737-741
,共5页
程知群%李进%傅开红%朱雪芳%高俊君
程知群%李進%傅開紅%硃雪芳%高俊君
정지군%리진%부개홍%주설방%고준군
高增益%低噪声%混频器%电流注入
高增益%低譟聲%混頻器%電流註入
고증익%저조성%혼빈기%전류주입
设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益.采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计.在本振(LO)信号的频率为1.571 GHz,射频(RF)信号频率为1.575 GHz时,混频器的增益为17.5 dB,噪声系数(NF)为8.35 dB,三阶交调截止点输入功率(IIP3)为-4.6 dBm.混频器工作电压1.8 V.直流电流为8.8 mA,版图总面积为0.63 mm × 0.78 mm.
設計瞭一種基于跨導互補結構的電流註入混頻器,通過在吉爾伯特混頻器電路的本振開關管源極增加PMOS管形成電流註入電路減小本振耑的偏置電流,改善電路的閃爍譟聲和增大電路的增益.採用SMIC 0.18μm標準CMOS工藝設計.在本振(LO)信號的頻率為1.571 GHz,射頻(RF)信號頻率為1.575 GHz時,混頻器的增益為17.5 dB,譟聲繫數(NF)為8.35 dB,三階交調截止點輸入功率(IIP3)為-4.6 dBm.混頻器工作電壓1.8 V.直流電流為8.8 mA,版圖總麵積為0.63 mm × 0.78 mm.
설계료일충기우과도호보결구적전류주입혼빈기,통과재길이백특혼빈기전로적본진개관관원겁증가PMOS관형성전류주입전로감소본진단적편치전류,개선전로적섬삭조성화증대전로적증익.채용SMIC 0.18μm표준CMOS공예설계.재본진(LO)신호적빈솔위1.571 GHz,사빈(RF)신호빈솔위1.575 GHz시,혼빈기적증익위17.5 dB,조성계수(NF)위8.35 dB,삼계교조절지점수입공솔(IIP3)위-4.6 dBm.혼빈기공작전압1.8 V.직류전류위8.8 mA,판도총면적위0.63 mm × 0.78 mm.
