电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
4期
733-736,741
,共5页
无线传感网%RF CMOS工艺%LC压控振荡器%相位噪声%宽调谐范围
無線傳感網%RF CMOS工藝%LC壓控振盪器%相位譟聲%寬調諧範圍
무선전감망%RF CMOS공예%LC압공진탕기%상위조성%관조해범위
采用SMIC 0.18 μm 1P6 M RF CMOS工艺设计了一个4.8 GHz LC压控振荡器,该压控振荡器应用于无线传感SoC芯片射频前端频率综合器中.电路核心采用带电阻反馈的差分负阻结构,因此具有良好的相位噪声性能;2bit的开关电容阵列进一步提高了电路的调谐范围;共源级输出缓冲提供了较好的反向隔离度.所设计的芯片版图面积为600 μm×475μm.在电源电压为1.8 V时,后仿真结果表明,电路调谐范围最高可达40%,有效地补偿了工艺角偏差;在4.95 GHz处,后仿真测得的相位噪声为-125.3 dBc/Hz @ 3 MHz,优于系统要求5.3 dB;核心电路工作电流约5.2 mA.
採用SMIC 0.18 μm 1P6 M RF CMOS工藝設計瞭一箇4.8 GHz LC壓控振盪器,該壓控振盪器應用于無線傳感SoC芯片射頻前耑頻率綜閤器中.電路覈心採用帶電阻反饋的差分負阻結構,因此具有良好的相位譟聲性能;2bit的開關電容陣列進一步提高瞭電路的調諧範圍;共源級輸齣緩遲提供瞭較好的反嚮隔離度.所設計的芯片版圖麵積為600 μm×475μm.在電源電壓為1.8 V時,後倣真結果錶明,電路調諧範圍最高可達40%,有效地補償瞭工藝角偏差;在4.95 GHz處,後倣真測得的相位譟聲為-125.3 dBc/Hz @ 3 MHz,優于繫統要求5.3 dB;覈心電路工作電流約5.2 mA.
채용SMIC 0.18 μm 1P6 M RF CMOS공예설계료일개4.8 GHz LC압공진탕기,해압공진탕기응용우무선전감SoC심편사빈전단빈솔종합기중.전로핵심채용대전조반궤적차분부조결구,인차구유량호적상위조성성능;2bit적개관전용진렬진일보제고료전로적조해범위;공원급수출완충제공료교호적반향격리도.소설계적심편판도면적위600 μm×475μm.재전원전압위1.8 V시,후방진결과표명,전로조해범위최고가체40%,유효지보상료공예각편차;재4.95 GHz처,후방진측득적상위조성위-125.3 dBc/Hz @ 3 MHz,우우계통요구5.3 dB;핵심전로공작전류약5.2 mA.
