中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2013年
10期
75-81
,共7页
林大宪%伊牧%赖明芳%廖锦源%陈柏安
林大憲%伊牧%賴明芳%廖錦源%陳柏安
림대헌%이목%뢰명방%료금원%진백안
超高压器件%P型表面掺杂%界面陷阱电荷%静电放电
超高壓器件%P型錶麵摻雜%界麵陷阱電荷%靜電放電
초고압기건%P형표면참잡%계면함정전하%정전방전
本研究提出了一种创新的P型表面掺杂工程技术,可专门应用于仿真程序时,优化布局中具交互指叉(interdigital)几何图案的器件结构内,不同区域的PN结反向击穿电压退化现象.如:超高压器件的源极中心(Source Center)、漏极中心(Drain Center)、或是平坦区(flat region).超高压器件的工艺中,PN结反向击穿电压的退化往往归咎于界面陷阱电荷(interface-trapped charge).而在硅晶圆阶段中,由于封装等级(package level)可靠度测试(reliability test)所带来的热应力,亦可使击穿电压退化与电流拥挤(current crowding)等现象浮现.因此,在优化的过程中,为了保有器件的高击穿电压特性,吾人藉由改变P型表面掺杂的二维几何设计,同时也利用静电放电测试(ESD test),来观察界面陷阱电荷,在器件遭受静电放电攻击后的分布变化.本研究最终针对具备最大长度结构(length structure)的P型表面掺杂,在击穿电压操作范围内,以及静电放电测试中,如何得到更佳的稳定性,作深入探讨.
本研究提齣瞭一種創新的P型錶麵摻雜工程技術,可專門應用于倣真程序時,優化佈跼中具交互指扠(interdigital)幾何圖案的器件結構內,不同區域的PN結反嚮擊穿電壓退化現象.如:超高壓器件的源極中心(Source Center)、漏極中心(Drain Center)、或是平坦區(flat region).超高壓器件的工藝中,PN結反嚮擊穿電壓的退化往往歸咎于界麵陷阱電荷(interface-trapped charge).而在硅晶圓階段中,由于封裝等級(package level)可靠度測試(reliability test)所帶來的熱應力,亦可使擊穿電壓退化與電流擁擠(current crowding)等現象浮現.因此,在優化的過程中,為瞭保有器件的高擊穿電壓特性,吾人藉由改變P型錶麵摻雜的二維幾何設計,同時也利用靜電放電測試(ESD test),來觀察界麵陷阱電荷,在器件遭受靜電放電攻擊後的分佈變化.本研究最終針對具備最大長度結構(length structure)的P型錶麵摻雜,在擊穿電壓操作範圍內,以及靜電放電測試中,如何得到更佳的穩定性,作深入探討.
본연구제출료일충창신적P형표면참잡공정기술,가전문응용우방진정서시,우화포국중구교호지차(interdigital)궤하도안적기건결구내,불동구역적PN결반향격천전압퇴화현상.여:초고압기건적원겁중심(Source Center)、루겁중심(Drain Center)、혹시평탄구(flat region).초고압기건적공예중,PN결반향격천전압적퇴화왕왕귀구우계면함정전하(interface-trapped charge).이재규정원계단중,유우봉장등급(package level)가고도측시(reliability test)소대래적열응력,역가사격천전압퇴화여전류옹제(current crowding)등현상부현.인차,재우화적과정중,위료보유기건적고격천전압특성,오인자유개변P형표면참잡적이유궤하설계,동시야이용정전방전측시(ESD test),래관찰계면함정전하,재기건조수정전방전공격후적분포변화.본연구최종침대구비최대장도결구(length structure)적P형표면참잡,재격천전압조작범위내,이급정전방전측시중,여하득도경가적은정성,작심입탐토.