中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2013年
10期
63-69,86
,共8页
三维集成电路%硅通孔%测试
三維集成電路%硅通孔%測試
삼유집성전로%규통공%측시
从小柳光正教授1978年堆叠的两只MOS电容DRAM的三维结构出发,到2010年半导体业界提出了Cu-TSV工艺方法,演进出一部三维集成微纳电子学.本文梳理近6年内的3D-IC测试的一次文献,重点分析了键合前测试、键合中测试和键合后测试.尝试从不同的角度,例如内建自测试、探头技术、串扰、短路与开路检测,以及基于成本优化的温升与应力检测,讨论3D-IC测试所遇到的难题及其解决方法.未来的3D-IC测试技术看好小组数超微探针技术、DfX技术和自适应测试,测试的优化方向必将考虑“成本与功耗折中权重下的良率”新模型.
從小柳光正教授1978年堆疊的兩隻MOS電容DRAM的三維結構齣髮,到2010年半導體業界提齣瞭Cu-TSV工藝方法,縯進齣一部三維集成微納電子學.本文梳理近6年內的3D-IC測試的一次文獻,重點分析瞭鍵閤前測試、鍵閤中測試和鍵閤後測試.嘗試從不同的角度,例如內建自測試、探頭技術、串擾、短路與開路檢測,以及基于成本優化的溫升與應力檢測,討論3D-IC測試所遇到的難題及其解決方法.未來的3D-IC測試技術看好小組數超微探針技術、DfX技術和自適應測試,測試的優化方嚮必將攷慮“成本與功耗摺中權重下的良率”新模型.
종소류광정교수1978년퇴첩적량지MOS전용DRAM적삼유결구출발,도2010년반도체업계제출료Cu-TSV공예방법,연진출일부삼유집성미납전자학.본문소리근6년내적3D-IC측시적일차문헌,중점분석료건합전측시、건합중측시화건합후측시.상시종불동적각도,례여내건자측시、탐두기술、천우、단로여개로검측,이급기우성본우화적온승여응력검측,토론3D-IC측시소우도적난제급기해결방법.미래적3D-IC측시기술간호소조수초미탐침기술、DfX기술화자괄응측시,측시적우화방향필장고필“성본여공모절중권중하적량솔”신모형.
