电路与系统学报
電路與繫統學報
전로여계통학보
JOURNAL OF CIRCUITS AND SYSTEMS
2009年
4期
97-100,49
,共5页
低噪声放大器%噪声系数%低电压%折叠式共源共栅%线性度提高
低譟聲放大器%譟聲繫數%低電壓%摺疊式共源共柵%線性度提高
저조성방대기%조성계수%저전압%절첩식공원공책%선성도제고
讨论了低噪声放大器(LNA)在低电压、低功耗条件下的噪声优化及线性度提高技术.使用Chartered 0.25μm RF CMOS 工艺设计一个低电压折叠式共源共栅LNA.后仿真结果表明在1V电源下,2.36GHz处的噪声系数NF仅有1.32dB,正向增益S21为14.27dB,反射参数S11、S12、S22分别为 -20.65dB、-30.27dB、-24dB,1dB压缩点为-13.0dBm,三阶交调点IIP3为-0.06dBm,消耗的电流为8.19mA.
討論瞭低譟聲放大器(LNA)在低電壓、低功耗條件下的譟聲優化及線性度提高技術.使用Chartered 0.25μm RF CMOS 工藝設計一箇低電壓摺疊式共源共柵LNA.後倣真結果錶明在1V電源下,2.36GHz處的譟聲繫數NF僅有1.32dB,正嚮增益S21為14.27dB,反射參數S11、S12、S22分彆為 -20.65dB、-30.27dB、-24dB,1dB壓縮點為-13.0dBm,三階交調點IIP3為-0.06dBm,消耗的電流為8.19mA.
토론료저조성방대기(LNA)재저전압、저공모조건하적조성우화급선성도제고기술.사용Chartered 0.25μm RF CMOS 공예설계일개저전압절첩식공원공책LNA.후방진결과표명재1V전원하,2.36GHz처적조성계수NF부유1.32dB,정향증익S21위14.27dB,반사삼수S11、S12、S22분별위 -20.65dB、-30.27dB、-24dB,1dB압축점위-13.0dBm,삼계교조점IIP3위-0.06dBm,소모적전류위8.19mA.
