辽宁工业大学学报（自然科学版）
遼寧工業大學學報（自然科學版）
료녕공업대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF LIAONING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2014年
2期
82-85
,共4页
碳化硅MOSFET%功率损耗%导通电阻%开关速度
碳化硅MOSFET%功率損耗%導通電阻%開關速度
탄화규MOSFET%공솔손모%도통전조%개관속도
SiC MOSFET%power losses%on-resistance%switching speed
碳化硅(SiC)MOSFET 是一种新型高压功率开关器件，具有导通电阻低、开关速度极快的特点。本文分析了功率MOSFET在开关电源中的功率损耗，以1200 V/24 A的SiC MOSFET和硅(Si)MOSFET在相同的测试条件下进行了功率损耗的对比测试。实验结果表明，在相同的驱动条件和负载条件下，SiC MOSFET的开关速度明显快于Si MOSFET，同时功率损耗明显降低，即使直接采用SiC MOSFET替代Si MOSFET也会使得开关电源的效率明显提升。
碳化硅(SiC)MOSFET 是一種新型高壓功率開關器件，具有導通電阻低、開關速度極快的特點。本文分析瞭功率MOSFET在開關電源中的功率損耗，以1200 V/24 A的SiC MOSFET和硅(Si)MOSFET在相同的測試條件下進行瞭功率損耗的對比測試。實驗結果錶明，在相同的驅動條件和負載條件下，SiC MOSFET的開關速度明顯快于Si MOSFET，同時功率損耗明顯降低，即使直接採用SiC MOSFET替代Si MOSFET也會使得開關電源的效率明顯提升。
탄화규(SiC)MOSFET 시일충신형고압공솔개관기건，구유도통전조저、개관속도겁쾌적특점。본문분석료공솔MOSFET재개관전원중적공솔손모，이1200 V/24 A적SiC MOSFET화규(Si)MOSFET재상동적측시조건하진행료공솔손모적대비측시。실험결과표명，재상동적구동조건화부재조건하，SiC MOSFET적개관속도명현쾌우Si MOSFET，동시공솔손모명현강저，즉사직접채용SiC MOSFET체대Si MOSFET야회사득개관전원적효솔명현제승。
SiC MOSFET is the latest high-voltage power device and are characterized by low on-resistance and extremely fast switching speed. The effects of the power MOSFET on power losses of switching power supply were analyzed, the comparison test of SiC MOSFET and silicon MOSFET with same parameter of 1 200 V/24 A was made. The experimental results show that the switching speed of SiC MOSFET is significantly faster than that of silicon MOSFET under the same condition of driver and load, ,meanwhile, the power losses are significantly lowerd, the efficiency of switching power supply could be substantially improved and even simply replace SiC MOSFET with silicon MOSFET.
