黑龙江科技信息
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흑룡강과기신식
HEILONGJIANG SCIENCE AND TECHNOLOGY INFORMATION
2014年
5期
36-36
,共1页
元胞尺寸%芯片面积%击穿电压%导通电阻
元胞呎吋%芯片麵積%擊穿電壓%導通電阻
원포척촌%심편면적%격천전압%도통전조
根据高压大电流VDMOS的特点，利用工艺模拟软件对工艺流程进行模拟。通过将已知工艺参数与工艺模拟软件相结合，对击穿电压、阈值电压、导通电阻及开关时间进行计算。根据仿真结果计算在相同耐压条件下，不同形状的元胞在不同的元胞尺寸下对应的芯片面积变化情况。
根據高壓大電流VDMOS的特點，利用工藝模擬軟件對工藝流程進行模擬。通過將已知工藝參數與工藝模擬軟件相結閤，對擊穿電壓、閾值電壓、導通電阻及開關時間進行計算。根據倣真結果計算在相同耐壓條件下，不同形狀的元胞在不同的元胞呎吋下對應的芯片麵積變化情況。
근거고압대전류VDMOS적특점，이용공예모의연건대공예류정진행모의。통과장이지공예삼수여공예모의연건상결합，대격천전압、역치전압、도통전조급개관시간진행계산。근거방진결과계산재상동내압조건하，불동형상적원포재불동적원포척촌하대응적심편면적변화정황。
