物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2010年
5期
1202-1206
,共5页
宁德争%周德凤%夏燕杰%赵桂春%孟健
寧德爭%週德鳳%夏燕傑%趙桂春%孟健
저덕쟁%주덕봉%하연걸%조계춘%맹건
固体电解质%MgO掺杂%清除剂%电导率
固體電解質%MgO摻雜%清除劑%電導率
고체전해질%MgO참잡%청제제%전도솔
Solid electrolyte%MgO-doping%Scavenger,Electrical conductivity
采用溶胶凝胶法合成SiO2含量为5.0×10-4(w)的Ce0.9Sm0.1O2-δ)(SDC)粉体(SDCSi),并将0-3.0%(x)MgO分别加入到SDCSi陶瓷粉体中,用x射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对材料进行表征,用交流阻抗谱(AC)测试材料的电性能.结果表明:MgO掺杂能使SDCSi的烧结温度降低100-200℃,提高陶瓷材料的致密度;清除或降低陶瓷材料晶界处SiO2杂质的有害影响,显著提高晶粒/晶界电导率和总电率;MgO掺杂到SDCSi具有烧结助剂和晶界杂质清除剂的双重作用.
採用溶膠凝膠法閤成SiO2含量為5.0×10-4(w)的Ce0.9Sm0.1O2-δ)(SDC)粉體(SDCSi),併將0-3.0%(x)MgO分彆加入到SDCSi陶瓷粉體中,用x射線衍射(XRD)和場髮射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)對材料進行錶徵,用交流阻抗譜(AC)測試材料的電性能.結果錶明:MgO摻雜能使SDCSi的燒結溫度降低100-200℃,提高陶瓷材料的緻密度;清除或降低陶瓷材料晶界處SiO2雜質的有害影響,顯著提高晶粒/晶界電導率和總電率;MgO摻雜到SDCSi具有燒結助劑和晶界雜質清除劑的雙重作用.
채용용효응효법합성SiO2함량위5.0×10-4(w)적Ce0.9Sm0.1O2-δ)(SDC)분체(SDCSi),병장0-3.0%(x)MgO분별가입도SDCSi도자분체중,용x사선연사(XRD)화장발사소묘전자현미경(FE-SEM)대재료진행표정,용교류조항보(AC)측시재료적전성능.결과표명:MgO참잡능사SDCSi적소결온도강저100-200℃,제고도자재료적치밀도;청제혹강저도자재료정계처SiO2잡질적유해영향,현저제고정립/정계전도솔화총전솔;MgO참잡도SDCSi구유소결조제화정계잡질청제제적쌍중작용.
