西北师范大学学报（自然科学版）
西北師範大學學報（自然科學版）
서북사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF NORTHWEST NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2013年
1期
55-60
,共6页
马永钧%何春晓%周敏%田玉秀%李琼琳
馬永鈞%何春曉%週敏%田玉秀%李瓊琳
마영균%하춘효%주민%전옥수%리경림
NADH%电化学氧化%修饰电极
NADH%電化學氧化%脩飾電極
NADH%전화학양화%수식전겁
利用电沉积法制备了Yb-In-Co-MoO42-杂多核氰桥混配物预修饰的玻碳电极,并以该修饰电极为基底,在其表面旋涂壳聚糖,成功制备了一种新型的复合修饰电极.采用示差脉冲伏安法研究了NADH在修饰电极上的电催化氧化行为,与裸电极相比,NADH在修饰电极上的氧化峰电位负移了大约20 mV,氧化峰电流增加了约10倍,NADH的氧化峰电流与其浓度在4～1 000 μmol·L-1的较宽范围内呈良好的线性关系；通过计时库仑法测得复合膜修饰电极上NADH电氧化反应的表现异相催化速率常数为9.94×10-3 cm·s-1.此外,实验结果表明,新制备的电极在含NADH的溶液中用循环伏安预扫描15圈后,工作电极上NADH的峰电流测量值趋于稳定,一定程度上消除了因电极的毒化作用对测定结果产生的影响,复合修饰膜中的两种修饰物对NADH的电化学氧化过程有明显的协同催化作用.
利用電沉積法製備瞭Yb-In-Co-MoO42-雜多覈氰橋混配物預脩飾的玻碳電極,併以該脩飾電極為基底,在其錶麵鏇塗殼聚糖,成功製備瞭一種新型的複閤脩飾電極.採用示差脈遲伏安法研究瞭NADH在脩飾電極上的電催化氧化行為,與裸電極相比,NADH在脩飾電極上的氧化峰電位負移瞭大約20 mV,氧化峰電流增加瞭約10倍,NADH的氧化峰電流與其濃度在4～1 000 μmol·L-1的較寬範圍內呈良好的線性關繫；通過計時庫崙法測得複閤膜脩飾電極上NADH電氧化反應的錶現異相催化速率常數為9.94×10-3 cm·s-1.此外,實驗結果錶明,新製備的電極在含NADH的溶液中用循環伏安預掃描15圈後,工作電極上NADH的峰電流測量值趨于穩定,一定程度上消除瞭因電極的毒化作用對測定結果產生的影響,複閤脩飾膜中的兩種脩飾物對NADH的電化學氧化過程有明顯的協同催化作用.
이용전침적법제비료Yb-In-Co-MoO42-잡다핵청교혼배물예수식적파탄전겁,병이해수식전겁위기저,재기표면선도각취당,성공제비료일충신형적복합수식전겁.채용시차맥충복안법연구료NADH재수식전겁상적전최화양화행위,여라전겁상비,NADH재수식전겁상적양화봉전위부이료대약20 mV,양화봉전류증가료약10배,NADH적양화봉전류여기농도재4～1 000 μmol·L-1적교관범위내정량호적선성관계；통과계시고륜법측득복합막수식전겁상NADH전양화반응적표현이상최화속솔상수위9.94×10-3 cm·s-1.차외,실험결과표명,신제비적전겁재함NADH적용액중용순배복안예소묘15권후,공작전겁상NADH적봉전류측량치추우은정,일정정도상소제료인전겁적독화작용대측정결과산생적영향,복합수식막중적량충수식물대NADH적전화학양화과정유명현적협동최화작용.
