表面技术
錶麵技術
표면기술
SURFACE TECHNOLOGY
2012年
4期
42-45
,共4页
陈文革%张剑%熊斐%邵菲
陳文革%張劍%熊斐%邵菲
진문혁%장검%웅비%소비
W-Cu薄膜%磁控溅射%单靶%双靶
W-Cu薄膜%磁控濺射%單靶%雙靶
W-Cu박막%자공천사%단파%쌍파
采用W70Cu30单靶磁控溅射与纯W、纯Cu双靶磁控共溅两种工艺,在多种基材上制备W-Cu薄膜,分析了薄膜的宏观形貌和组织结构.分析结果表明:单靶磁控溅射时,控制靶电压520 V,溅射电流0.8～1.2A,Ar气流量25 mL/min(标准状态),可在玻璃基体上镀得W-Cu薄膜,但退火时如温度过高,会使W和Cu两种元素原子偏聚加重;双靶磁控溅射时,控制Ar气流量20 mL/min(标准状态),Cu靶电流0.7A,W靶电流1.2A,溅射时间3600 s,可在硅基和玻璃基上镀得W-Cu薄膜,但在石墨基体、陶瓷基体及45钢基体上的镀膜效果不理想.
採用W70Cu30單靶磁控濺射與純W、純Cu雙靶磁控共濺兩種工藝,在多種基材上製備W-Cu薄膜,分析瞭薄膜的宏觀形貌和組織結構.分析結果錶明:單靶磁控濺射時,控製靶電壓520 V,濺射電流0.8～1.2A,Ar氣流量25 mL/min(標準狀態),可在玻璃基體上鍍得W-Cu薄膜,但退火時如溫度過高,會使W和Cu兩種元素原子偏聚加重;雙靶磁控濺射時,控製Ar氣流量20 mL/min(標準狀態),Cu靶電流0.7A,W靶電流1.2A,濺射時間3600 s,可在硅基和玻璃基上鍍得W-Cu薄膜,但在石墨基體、陶瓷基體及45鋼基體上的鍍膜效果不理想.
채용W70Cu30단파자공천사여순W、순Cu쌍파자공공천량충공예,재다충기재상제비W-Cu박막,분석료박막적굉관형모화조직결구.분석결과표명:단파자공천사시,공제파전압520 V,천사전류0.8～1.2A,Ar기류량25 mL/min(표준상태),가재파리기체상도득W-Cu박막,단퇴화시여온도과고,회사W화Cu량충원소원자편취가중;쌍파자공천사시,공제Ar기류량20 mL/min(표준상태),Cu파전류0.7A,W파전류1.2A,천사시간3600 s,가재규기화파리기상도득W-Cu박막,단재석묵기체、도자기체급45강기체상적도막효과불이상.
