物理实验
物理實驗
물리실험
PHYSICS EXPERIMENTATION
2013年
6期
44-48
,共5页
张浩%董洁文%吕孝鹏%王鑫%许元鲜%邵雪峰%王珊珊%邓雅丽%陈康烨
張浩%董潔文%呂孝鵬%王鑫%許元鮮%邵雪峰%王珊珊%鄧雅麗%陳康燁
장호%동길문%려효붕%왕흠%허원선%소설봉%왕산산%산아려%진강엽
石墨烯%化学气相沉积法%金相显微镜%电学性质
石墨烯%化學氣相沉積法%金相顯微鏡%電學性質
석묵희%화학기상침적법%금상현미경%전학성질
以甲烷作为反应气体、利用高温化学气相沉积法分别在纯硅片和镀镍镉过渡层硅片上沉积石墨烯薄膜,应用金相显微镜和电学特性测试分析了700,900,950℃温度下生长的石墨烯薄膜的表面形貌、伏安特性及其他电学特性.发现镍铬过渡层具有显著的催化作用,可有效降低石墨烯的生长温度.随着生长温度的升高,样品中电子迁移率随之增大,伏安特性的线性度也越好.对纯硅片上生长的石墨烯,发现高温有利于甲烷有效分解和成核,可有效提高表面电子浓度和电子迁移率,其迁移率可达到2.52×104 cm2/V.
以甲烷作為反應氣體、利用高溫化學氣相沉積法分彆在純硅片和鍍鎳鎘過渡層硅片上沉積石墨烯薄膜,應用金相顯微鏡和電學特性測試分析瞭700,900,950℃溫度下生長的石墨烯薄膜的錶麵形貌、伏安特性及其他電學特性.髮現鎳鉻過渡層具有顯著的催化作用,可有效降低石墨烯的生長溫度.隨著生長溫度的升高,樣品中電子遷移率隨之增大,伏安特性的線性度也越好.對純硅片上生長的石墨烯,髮現高溫有利于甲烷有效分解和成覈,可有效提高錶麵電子濃度和電子遷移率,其遷移率可達到2.52×104 cm2/V.
이갑완작위반응기체、이용고온화학기상침적법분별재순규편화도얼력과도층규편상침적석묵희박막,응용금상현미경화전학특성측시분석료700,900,950℃온도하생장적석묵희박막적표면형모、복안특성급기타전학특성.발현얼락과도층구유현저적최화작용,가유효강저석묵희적생장온도.수착생장온도적승고,양품중전자천이솔수지증대,복안특성적선성도야월호.대순규편상생장적석묵희,발현고온유리우갑완유효분해화성핵,가유효제고표면전자농도화전자천이솔,기천이솔가체도2.52×104 cm2/V.
