深圳大学学报（理工版）
深圳大學學報（理工版）
심수대학학보（리공판）
JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY (SCIENCE & ENGINEERING)
2013年
2期
144-149
,共6页
曹建民%贺威%黄思文%张旭琳
曹建民%賀威%黃思文%張旭琳
조건민%하위%황사문%장욱림
半导体技术%MOS器件%负偏压温度不稳定性%计算机辅助设计%界面反馈%半导体器件寿命
半導體技術%MOS器件%負偏壓溫度不穩定性%計算機輔助設計%界麵反饋%半導體器件壽命
반도체기술%MOS기건%부편압온도불은정성%계산궤보조설계%계면반궤%반도체기건수명
提出一种用二维器件数值模拟和负偏压温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)模型联合计算的方法,分析NBTI效应产生的界面电荷对pMOS器件栅氧化层电场和沟道空穴浓度的反馈作用.通过大量计算和比对分析现有实验得出:当NBTI效应产生较多的界面电荷时,由于界面电荷反馈,pMOS器件的NBTI退化将有一定程度的减小.这种退化减小是一种新的退化饱和机制,对不同类型器件的寿命具有不同的影响.在低NBTI器件中,界面反馈对器件寿命曲线的变化影响不大,器件寿命曲线趋向满足指数变化规律.在高NBTI器件中,界面反馈使得寿命曲线变化基本满足幂指数变化规律.
提齣一種用二維器件數值模擬和負偏壓溫度不穩定性(negative bias temperature instability,NBTI)模型聯閤計算的方法,分析NBTI效應產生的界麵電荷對pMOS器件柵氧化層電場和溝道空穴濃度的反饋作用.通過大量計算和比對分析現有實驗得齣:噹NBTI效應產生較多的界麵電荷時,由于界麵電荷反饋,pMOS器件的NBTI退化將有一定程度的減小.這種退化減小是一種新的退化飽和機製,對不同類型器件的壽命具有不同的影響.在低NBTI器件中,界麵反饋對器件壽命麯線的變化影響不大,器件壽命麯線趨嚮滿足指數變化規律.在高NBTI器件中,界麵反饋使得壽命麯線變化基本滿足冪指數變化規律.
제출일충용이유기건수치모의화부편압온도불은정성(negative bias temperature instability,NBTI)모형연합계산적방법,분석NBTI효응산생적계면전하대pMOS기건책양화층전장화구도공혈농도적반궤작용.통과대량계산화비대분석현유실험득출:당NBTI효응산생교다적계면전하시,유우계면전하반궤,pMOS기건적NBTI퇴화장유일정정도적감소.저충퇴화감소시일충신적퇴화포화궤제,대불동류형기건적수명구유불동적영향.재저NBTI기건중,계면반궤대기건수명곡선적변화영향불대,기건수명곡선추향만족지수변화규률.재고NBTI기건중,계면반궤사득수명곡선변화기본만족멱지수변화규률.
