深圳大学学报（理工版）
深圳大學學報（理工版）
심수대학학보（리공판）
JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY (SCIENCE & ENGINEERING)
2013年
2期
133-137
,共5页
快门脉冲发生器%绝缘栅型场效应管%可编程逻辑器件%微秒级快门%受抑全反射%高速摄影
快門脈遲髮生器%絕緣柵型場效應管%可編程邏輯器件%微秒級快門%受抑全反射%高速攝影
쾌문맥충발생기%절연책형장효응관%가편정라집기건%미초급쾌문%수억전반사%고속섭영
设计基于绝缘栅型场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)的快门脉冲发生器,将MOSFET串联作为开关组,采用电平移位法对其进行驱动,由可编辑逻辑器件FPGA控制延时触发,经过脉冲形成电路分别得到高压脉冲的快前沿与快后沿.结果表明,在1.1 μF的负载下,可获得幅值为800 V、前后沿均小于1μs、脉宽为81μs的高压快脉冲,该系统抗干扰能力强,可靠性好.
設計基于絕緣柵型場效應管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)的快門脈遲髮生器,將MOSFET串聯作為開關組,採用電平移位法對其進行驅動,由可編輯邏輯器件FPGA控製延時觸髮,經過脈遲形成電路分彆得到高壓脈遲的快前沿與快後沿.結果錶明,在1.1 μF的負載下,可穫得幅值為800 V、前後沿均小于1μs、脈寬為81μs的高壓快脈遲,該繫統抗榦擾能力彊,可靠性好.
설계기우절연책형장효응관(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)적쾌문맥충발생기,장MOSFET천련작위개관조,채용전평이위법대기진행구동,유가편집라집기건FPGA공제연시촉발,경과맥충형성전로분별득도고압맥충적쾌전연여쾌후연.결과표명,재1.1 μF적부재하,가획득폭치위800 V、전후연균소우1μs、맥관위81μs적고압쾌맥충,해계통항간우능력강,가고성호.
