水处理技术
水處理技術
수처리기술
2013年
4期
53-58
,共6页
肖燕%陈彤%胡永健%王德山%韩永萍%王晓琳
肖燕%陳彤%鬍永健%王德山%韓永萍%王曉琳
초연%진동%호영건%왕덕산%한영평%왕효림
半导体废水%回用%MBR%RO%污染特性
半導體廢水%迴用%MBR%RO%汙染特性
반도체폐수%회용%MBR%RO%오염특성
采用反渗透(RO)深度处理经膜生物反应器(MBR)预处理后的半导体废水.为获得RO长期运行的膜污染特性和清洗对策,处理过程不添加阻垢剂且不采用化学清洗从而加速RO膜污染.膜污染分析表明,RO膜表面污染层的主体物质为疏松堆积的片状无机结垢,未发现明显的微生物群落或有机污染形成的凝胶层.污染层的主要成分为难溶盐BaSO4,其次为SrSO4以及Ca、Si、A1、Mg、Fe和Zn等形成的沉积物,其中Ba、Sr、Ca、Mg和Zn在RO膜元件进口端的含量明显大于出口端.化学清洗结果表明,先采用HCl再采用EDTA-4Na的组合清洗方法,可有效去除RO膜表面的污染层,清洗后RO膜通量可恢复至初始值.
採用反滲透(RO)深度處理經膜生物反應器(MBR)預處理後的半導體廢水.為穫得RO長期運行的膜汙染特性和清洗對策,處理過程不添加阻垢劑且不採用化學清洗從而加速RO膜汙染.膜汙染分析錶明,RO膜錶麵汙染層的主體物質為疏鬆堆積的片狀無機結垢,未髮現明顯的微生物群落或有機汙染形成的凝膠層.汙染層的主要成分為難溶鹽BaSO4,其次為SrSO4以及Ca、Si、A1、Mg、Fe和Zn等形成的沉積物,其中Ba、Sr、Ca、Mg和Zn在RO膜元件進口耑的含量明顯大于齣口耑.化學清洗結果錶明,先採用HCl再採用EDTA-4Na的組閤清洗方法,可有效去除RO膜錶麵的汙染層,清洗後RO膜通量可恢複至初始值.
채용반삼투(RO)심도처리경막생물반응기(MBR)예처리후적반도체폐수.위획득RO장기운행적막오염특성화청세대책,처리과정불첨가조구제차불채용화학청세종이가속RO막오염.막오염분석표명,RO막표면오염층적주체물질위소송퇴적적편상무궤결구,미발현명현적미생물군락혹유궤오염형성적응효층.오염층적주요성분위난용염BaSO4,기차위SrSO4이급Ca、Si、A1、Mg、Fe화Zn등형성적침적물,기중Ba、Sr、Ca、Mg화Zn재RO막원건진구단적함량명현대우출구단.화학청세결과표명,선채용HCl재채용EDTA-4Na적조합청세방법,가유효거제RO막표면적오염층,청세후RO막통량가회복지초시치.
