杭州电子科技大学学报
杭州電子科技大學學報
항주전자과기대학학보
JOURNAL OF HANGZHOU DIANZI UNIVERSITY
2012年
1期
14-17
,共4页
刘剑%程知群%胡莎%周伟坚
劉劍%程知群%鬍莎%週偉堅
류검%정지군%호사%주위견
高速电子迁移率管%线性度%二维电子气%跨导%复合沟道
高速電子遷移率管%線性度%二維電子氣%跨導%複閤溝道
고속전자천이솔관%선성도%이유전자기%과도%복합구도
该文通过对HEMT物理模型的分析及对之前所设计的HEMT结构的总结,利用TCAD进行仿真,分析了器件中2DEG电子浓度和电子迁移率以及栅漏电流随In含量的变化规律.提出了一种新型结构Al0.3Ga0.7 N/AlN/GaN/In0.1 Ga0 9 N/GaN HEMT,并对栅长0.25μm和栅宽100μm的器件进行了优化设计,器件的栅压为1V时,阈值电压-5.3V,最大漏电流为2 220mA/mm,获得最大跨导为440mS/mm,且在-3.5～-0.5V范围内跨导变化量很小,说明优化后的器件具有良好的线性度.
該文通過對HEMT物理模型的分析及對之前所設計的HEMT結構的總結,利用TCAD進行倣真,分析瞭器件中2DEG電子濃度和電子遷移率以及柵漏電流隨In含量的變化規律.提齣瞭一種新型結構Al0.3Ga0.7 N/AlN/GaN/In0.1 Ga0 9 N/GaN HEMT,併對柵長0.25μm和柵寬100μm的器件進行瞭優化設計,器件的柵壓為1V時,閾值電壓-5.3V,最大漏電流為2 220mA/mm,穫得最大跨導為440mS/mm,且在-3.5～-0.5V範圍內跨導變化量很小,說明優化後的器件具有良好的線性度.
해문통과대HEMT물리모형적분석급대지전소설계적HEMT결구적총결,이용TCAD진행방진,분석료기건중2DEG전자농도화전자천이솔이급책루전류수In함량적변화규률.제출료일충신형결구Al0.3Ga0.7 N/AlN/GaN/In0.1 Ga0 9 N/GaN HEMT,병대책장0.25μm화책관100μm적기건진행료우화설계,기건적책압위1V시,역치전압-5.3V,최대루전류위2 220mA/mm,획득최대과도위440mS/mm,차재-3.5～-0.5V범위내과도변화량흔소,설명우화후적기건구유량호적선성도.
