重庆师范大学学报（自然科学版）
重慶師範大學學報（自然科學版）
중경사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CHONGQING NORMAL UNIVERSITY（NATURAL SCIENCE EDITION）
2009年
4期
98-100
,共3页
反射光谱%InxGa1-x薄膜%薄膜厚度测量
反射光譜%InxGa1-x薄膜%薄膜厚度測量
반사광보%InxGa1-x박막%박막후도측량
氮化镓薄膜是制造蓝紫光光电子器件的理想半导体材料之一.三元合金InGaN薄膜是优良的全光谱材料而且不同In组分的InGaN薄膜叠层可用于研制高效率薄膜太阳电池.精确测量InGaN薄膜的厚度有利于研制高效率的光伏器件.本文利用分光光度计实验研究了蓝宝石衬底金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长的铟镓氮(InGaN)半导体薄膜的反射光谱.基于薄膜干涉原理,计算分析了InxGa1-xN 薄膜的厚度;结果发现利用反射光谱中不同波峰、波谷确定的薄膜厚度相对偏差度的平均值为4.42%.结果表明用反射光谱的方法测量InxGa1-xN薄膜的厚度是可行的.
氮化鎵薄膜是製造藍紫光光電子器件的理想半導體材料之一.三元閤金InGaN薄膜是優良的全光譜材料而且不同In組分的InGaN薄膜疊層可用于研製高效率薄膜太暘電池.精確測量InGaN薄膜的厚度有利于研製高效率的光伏器件.本文利用分光光度計實驗研究瞭藍寶石襯底金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)技術生長的銦鎵氮(InGaN)半導體薄膜的反射光譜.基于薄膜榦涉原理,計算分析瞭InxGa1-xN 薄膜的厚度;結果髮現利用反射光譜中不同波峰、波穀確定的薄膜厚度相對偏差度的平均值為4.42%.結果錶明用反射光譜的方法測量InxGa1-xN薄膜的厚度是可行的.
담화가박막시제조람자광광전자기건적이상반도체재료지일.삼원합금InGaN박막시우량적전광보재료이차불동In조분적InGaN박막첩층가용우연제고효솔박막태양전지.정학측량InGaN박막적후도유리우연제고효솔적광복기건.본문이용분광광도계실험연구료람보석츤저금속유궤물화학기상침적(MOCVD)기술생장적인가담(InGaN)반도체박막적반사광보.기우박막간섭원리,계산분석료InxGa1-xN 박막적후도;결과발현이용반사광보중불동파봉、파곡학정적박막후도상대편차도적평균치위4.42%.결과표명용반사광보적방법측량InxGa1-xN박막적후도시가행적.
