超薄层常压外延工艺研究
초박층상압외연공예연구
Study on Atmospheric Pressure Epitaxy of Ultrathin Layer
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2009年 5期 722-724 ,共3页

    谭卫东%郭锐%骆红%杨帆%金龙%马利行%张文清%王霄

    담위동%곽예%락홍%양범%금룡%마리행%장문청%왕소

    常压外延%超薄层外延%IMPATT二极管 常壓外延%超薄層外延%IMPATT二極管
    상압외연%초박층외연%IMPATT이겁관
    为了满足一种3 mm雪崩渡越二极管的技术要求,改进了常压外延工艺,在PE-2061S硅外延设备上,实现了100 mm硅片超薄外延层的生长.外延层厚度为0.45～0.55μm,外延层与衬底之间的过渡区宽度大于0.2μm.过渡区宽度以及外延层厚度和掺杂浓度的精确控制,提高了器件的微波性能.
    위료만족일충3 mm설붕도월이겁관적기술요구,개진료상압외연공예,재PE-2061S규외연설비상,실현료100 mm규편초박외연층적생장.외연층후도위0.45～0.55μm,외연층여츤저지간적과도구관도대우0.2μm.과도구관도이급외연층후도화참잡농도적정학공제,제고료기건적미파성능.
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