微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
5期
644-648
,共5页
李国儒%李国林%李冬梅%李福乐%池保勇%张春
李國儒%李國林%李鼕梅%李福樂%池保勇%張春
리국유%리국림%리동매%리복악%지보용%장춘
噪声抵消%低噪声放大器%射频滤波器%多标准
譟聲牴消%低譟聲放大器%射頻濾波器%多標準
조성저소%저조성방대기%사빈려파기%다표준
采用UMC 0.18μm CMOS工艺,实现了一个Q值增强型LC多标准射频滤波器;实现中心频率以及带宽的连续可调,以适合不同通信标准的要求;采用LNA作为输入级,考察了噪声抵消机制,实现了较低的噪声系数(NF≤6 dB)及良好的输入输出匹配特性.整个设计采用1.8V电源电压,平均消耗电流20 mA.给出了版图及仿真结果.
採用UMC 0.18μm CMOS工藝,實現瞭一箇Q值增彊型LC多標準射頻濾波器;實現中心頻率以及帶寬的連續可調,以適閤不同通信標準的要求;採用LNA作為輸入級,攷察瞭譟聲牴消機製,實現瞭較低的譟聲繫數(NF≤6 dB)及良好的輸入輸齣匹配特性.整箇設計採用1.8V電源電壓,平均消耗電流20 mA.給齣瞭版圖及倣真結果.
채용UMC 0.18μm CMOS공예,실현료일개Q치증강형LC다표준사빈려파기;실현중심빈솔이급대관적련속가조,이괄합불동통신표준적요구;채용LNA작위수입급,고찰료조성저소궤제,실현료교저적조성계수(NF≤6 dB)급량호적수입수출필배특성.정개설계채용1.8V전원전압,평균소모전류20 mA.급출료판도급방진결과.
