核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2009年
5期
1012-1016
,共5页
Monte Carlo方法%X射线%封装材料%剂量增强
Monte Carlo方法%X射線%封裝材料%劑量增彊
Monte Carlo방법%X사선%봉장재료%제량증강
用Monte Carlo方法计算了封装材料/金属化层-Si结构(Au/Au-Si、Au/Schottky-Si、Kovar/Au-Si、Kovar/Schottky-Si、China/Au-Si、China/Schottky-Si、Au/Al-Si、Kovar/Al-Si和China/Al-Si)对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数,并进行比较.并且得到了这九种封装结构在金属-Si界面的剂量增强系数以及引起剂量增强的X射线能量范围.
用Monte Carlo方法計算瞭封裝材料/金屬化層-Si結構(Au/Au-Si、Au/Schottky-Si、Kovar/Au-Si、Kovar/Schottky-Si、China/Au-Si、China/Schottky-Si、Au/Al-Si、Kovar/Al-Si和China/Al-Si)對不同能量X射線在Si中的劑量增彊繫數,併進行比較.併且得到瞭這九種封裝結構在金屬-Si界麵的劑量增彊繫數以及引起劑量增彊的X射線能量範圍.
용Monte Carlo방법계산료봉장재료/금속화층-Si결구(Au/Au-Si、Au/Schottky-Si、Kovar/Au-Si、Kovar/Schottky-Si、China/Au-Si、China/Schottky-Si、Au/Al-Si、Kovar/Al-Si화China/Al-Si)대불동능량X사선재Si중적제량증강계수,병진행비교.병차득도료저구충봉장결구재금속-Si계면적제량증강계수이급인기제량증강적X사선능량범위.
