中国电子科学研究院学报
中國電子科學研究院學報
중국전자과학연구원학보
JOURNAL OF CHINA ACADEMY OF ELECTRONICS AND INFORMATION TECHNOLOGY
2009年
5期
516-518
,共3页
韩春林%邹鹏辉%高建峰%薛舫时%张政%耿涛%陈辰
韓春林%鄒鵬輝%高建峰%薛舫時%張政%耿濤%陳辰
한춘림%추붕휘%고건봉%설방시%장정%경도%진신
共振遂穿二极管%电子束光刻%空气桥
共振遂穿二極管%電子束光刻%空氣橋
공진수천이겁관%전자속광각%공기교
优化设计了InGaAs／AlAs／InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料.用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件.在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78 kA／cm2,峰谷电流比(PVCR)为7.8.用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次.
優化設計瞭InGaAs／AlAs／InP共振遂穿二極管(RTD)材料結構,併用MBE設備在(100)半絕緣InP單晶片上生長瞭RTD外延材料.用電子束光刻工藝和空氣橋互連技術,製作瞭InP基RTD器件.在室溫下測試瞭器件的電學特性:峰值電流密度78 kA／cm2,峰穀電流比(PVCR)為7.8.用空氣橋互連技術實現該類器件,在國內尚屬首次.
우화설계료InGaAs／AlAs／InP공진수천이겁관(RTD)재료결구,병용MBE설비재(100)반절연InP단정편상생장료RTD외연재료.용전자속광각공예화공기교호련기술,제작료InP기RTD기건.재실온하측시료기건적전학특성:봉치전류밀도78 kA／cm2,봉곡전류비(PVCR)위7.8.용공기교호련기술실현해류기건,재국내상속수차.
