中国电子科学研究院学报
中國電子科學研究院學報
중국전자과학연구원학보
JOURNAL OF CHINA ACADEMY OF ELECTRONICS AND INFORMATION TECHNOLOGY
2009年
5期
546-550
,共5页
季惠才%陈珍海%黄嵩人%张涛%王丽秀
季惠纔%陳珍海%黃嵩人%張濤%王麗秀
계혜재%진진해%황숭인%장도%왕려수
电流模式DAC%带隙基准源%可编程技术%VEB线性化补偿技术
電流模式DAC%帶隙基準源%可編程技術%VEB線性化補償技術
전류모식DAC%대극기준원%가편정기술%VEB선성화보상기술
高精度高稳定性基准源电路是电流模式DAC电路的关键电路模块.用VEB线性化补偿技术、级联PNP结构和可编程技术,设计了一个高精度可编程基准源电路.试结果表明,温度从O℃上升到+80℃时,基准电压变化仅为1.4 mV,温度系数达到了14 ppm／℃.个可编程基准源电路模块的芯片面积为0.45×0.6 mm2.
高精度高穩定性基準源電路是電流模式DAC電路的關鍵電路模塊.用VEB線性化補償技術、級聯PNP結構和可編程技術,設計瞭一箇高精度可編程基準源電路.試結果錶明,溫度從O℃上升到+80℃時,基準電壓變化僅為1.4 mV,溫度繫數達到瞭14 ppm／℃.箇可編程基準源電路模塊的芯片麵積為0.45×0.6 mm2.
고정도고은정성기준원전로시전류모식DAC전로적관건전로모괴.용VEB선성화보상기술、급련PNP결구화가편정기술,설계료일개고정도가편정기준원전로.시결과표명,온도종O℃상승도+80℃시,기준전압변화부위1.4 mV,온도계수체도료14 ppm／℃.개가편정기준원전로모괴적심편면적위0.45×0.6 mm2.
