化学工程与装备
化學工程與裝備
화학공정여장비
CHEMICAL ENGINEERING & EQUIPMENT
2009年
7期
13-16
,共4页
SiC晶体%物理气相输运法%磁矢势%有限元素法%热功率密度
SiC晶體%物理氣相輸運法%磁矢勢%有限元素法%熱功率密度
SiC정체%물리기상수운법%자시세%유한원소법%열공솔밀도
本文从物理气相输运法生长碳化硅单晶的实际装置出发,对系统中的电磁感应部分建立模型,采用有限元素法对矢势进行数值分析,进而给出系统各处的焦耳热功率密度.通过分析比较发现:在5-40kHz频率范围内,电流密度相同,较高的激励电流频率所产生的热功率密度更大,从而有利于系统内能的积聚.
本文從物理氣相輸運法生長碳化硅單晶的實際裝置齣髮,對繫統中的電磁感應部分建立模型,採用有限元素法對矢勢進行數值分析,進而給齣繫統各處的焦耳熱功率密度.通過分析比較髮現:在5-40kHz頻率範圍內,電流密度相同,較高的激勵電流頻率所產生的熱功率密度更大,從而有利于繫統內能的積聚.
본문종물리기상수운법생장탄화규단정적실제장치출발,대계통중적전자감응부분건립모형,채용유한원소법대시세진행수치분석,진이급출계통각처적초이열공솔밀도.통과분석비교발현:재5-40kHz빈솔범위내,전류밀도상동,교고적격려전류빈솔소산생적열공솔밀도경대,종이유리우계통내능적적취.
