电子设计工程
電子設計工程
전자설계공정
ELECTRONIC DESIGN ENGINEERING
2012年
11期
76-78,81
,共4页
王立新%单尼娜%夏洋%宋李梅%韩郑生
王立新%單尼娜%夏洋%宋李梅%韓鄭生
왕립신%단니나%하양%송리매%한정생
高温%失效机理%加速寿命试验%PNP
高溫%失效機理%加速壽命試驗%PNP
고온%실효궤리%가속수명시험%PNP
high temperature%failure mechanism%accelerated life test%PNP
为了保证在高温条件下,正确使用高频硅PNP晶体管3CG120,文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170-340℃温度范围内序进应力加速寿命试验,发现在170~240℃.240-290℃,以及290-340℃分别具有不同的失效机理,并通过分析得到了保证加速寿命试验中与室温相同的失效机理温度应力范围。
為瞭保證在高溫條件下,正確使用高頻硅PNP晶體管3CG120,文中對3CG120在不同溫度段的失效機理進行瞭研究。通過對硅PNP型晶體管3CG120進行170-340℃溫度範圍內序進應力加速壽命試驗,髮現在170~240℃.240-290℃,以及290-340℃分彆具有不同的失效機理,併通過分析得到瞭保證加速壽命試驗中與室溫相同的失效機理溫度應力範圍。
위료보증재고온조건하,정학사용고빈규PNP정체관3CG120,문중대3CG120재불동온도단적실효궤리진행료연구。통과대규PNP형정체관3CG120진행170-340℃온도범위내서진응력가속수명시험,발현재170~240℃.240-290℃,이급290-340℃분별구유불동적실효궤리,병통과분석득도료보증가속수명시험중여실온상동적실효궤리온도응력범위。
To use the 3CG120 correctly under high temperature, the papre studied the failure mechanism under high temperaure. In the experiments, silicon samples, 3CG120 transistor was subjected to temperature progress stress form 443 to 613K. After the test, failure mechanisms in different temperature ranges were studied. And the failure mechanism in different ranges are unconsistant. And the tempreture, at which the failure mechanisms will change from room temperature, was accqured.