对硅片上自组装生长的Pentacene薄膜生长机制及其结晶相态的研究
대규편상자조장생장적Pentacene박막생장궤제급기결정상태적연구
Study on Growth Mechanism and Crystallization Phase State of Pentacene Thin Films on p-Si Wafer
  • 万方数据
    光谱学与光谱分析 광보학여광보분석
    SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
    2009年 11期 3092-3095 ,共4页

    袁广才%徐征%赵谡玲%张福俊%许娜%田雪雁%孙钦军%徐叙瑢%王永生

    원엄재%서정%조속령%장복준%허나%전설안%손흠군%서서용%왕영생

    Pentacene薄膜%梯田岛状生长%薄膜的生长机制%结晶相态 Pentacene薄膜%梯田島狀生長%薄膜的生長機製%結晶相態
    Pentacene박막%제전도상생장%박막적생장궤제%결정상태
    采用热蒸发的方法在硅片衬底上自组装生长的Pentacene薄膜,薄膜在80℃温度下经2 h恒温真空热处理,通过原子力显微镜(AFM)对Pentacene薄膜表面形貌及其生长机制进行研究.结果得到,在硅片上生长的Pentacene薄膜足以台阶岛状结构生长,其岛状直径约为100 nm.且Pentacene分子以垂直于衬底的方向生长,台阶岛状结构中每个台阶的平均高度约为1.54 nnl·s-1,与Pentacene分子的沿长轴方向的长度相近.从Pentacene薄膜的XRD图谱中可以看出,薄膜在形成的过程中会因条件的不同而形成不同的结晶相,分别为薄膜相和三斜体相,且薄膜的结晶相将随着薄膜厚度的增加向三斜体相转变,其临界厚度为80和150 nm,当薄膜大于150 nm时,薄膜的三斜体相占主导地位,而当Pentacene薄膜的厚度小于80 nm时,Pentacene薄膜呈薄膜相存在.
    채용열증발적방법재규편츤저상자조장생장적Pentacene박막,박막재80℃온도하경2 h항온진공열처리,통과원자력현미경(AFM)대Pentacene박막표면형모급기생장궤제진행연구.결과득도,재규편상생장적Pentacene박막족이태계도상결구생장,기도상직경약위100 nm.차Pentacene분자이수직우츤저적방향생장,태계도상결구중매개태계적평균고도약위1.54 nnl·s-1,여Pentacene분자적연장축방향적장도상근.종Pentacene박막적XRD도보중가이간출,박막재형성적과정중회인조건적불동이형성불동적결정상,분별위박막상화삼사체상,차박막적결정상장수착박막후도적증가향삼사체상전변,기림계후도위80화150 nm,당박막대우150 nm시,박막적삼사체상점주도지위,이당Pentacene박막적후도소우80 nm시,Pentacene박막정박막상존재.
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