电子与硅烷分子碰撞的散射截面对微晶硅生长影响
전자여규완분자팽당적산사절면대미정규생장영향
Influence of e-silane cross-section on microcrystalline silicon thin film growth
  • 万方数据
    四川大学学报（自然科学版） 사천대학학보（자연과학판）
    JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY（NATURAL SCIENCE EDITION）
    2009年 4期 1101-1106 ,共6页

    文书堂%姚鹏%卢景霄%李云居%李维强%魏长春%谷锦华%杨仕俄%郭学军%高哲%赵尚丽

    문서당%요붕%로경소%리운거%리유강%위장춘%곡금화%양사아%곽학군%고철%조상려

    甚高频化学气相沉积%微晶硅薄膜%散射截面%高速生长 甚高頻化學氣相沉積%微晶硅薄膜%散射截麵%高速生長
    심고빈화학기상침적%미정규박막%산사절면%고속생장
    较为系统的研究了甚高频化学气相沉积在高压高功率下生长的微晶硅薄膜.给出了功率密度-气体流量和压强-功率密度的二维相图.用朗缪尔探针测出薄膜沉积时等离子体内部电子温度,并用麦克斯韦-玻尔兹曼分布进行拟合给出电子能量分布函数.由电子能量分布函数出发通过单电子碰撞模型给出等离子体内部各种基浓度的计算公式.并通过数值模拟给出等离子体中SiH2,SiH3等基的浓度.利用SiH2与SiH3比值,结合表面扩散模型,解释气压-功率密度相图中随电子温度的增加(功率的增加),晶化率增大的现象.
    교위계통적연구료심고빈화학기상침적재고압고공솔하생장적미정규박막.급출료공솔밀도-기체류량화압강-공솔밀도적이유상도.용랑무이탐침측출박막침적시등리자체내부전자온도,병용맥극사위-파이자만분포진행의합급출전자능량분포함수.유전자능량분포함수출발통과단전자팽당모형급출등리자체내부각충기농도적계산공식.병통과수치모의급출등리자체중SiH2,SiH3등기적농도.이용SiH2여SiH3비치,결합표면확산모형,해석기압-공솔밀도상도중수전자온도적증가(공솔적증가),정화솔증대적현상.
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