CAJ | 학술논문

在200 ℃下利用激光沉积技术分别在玻璃和Si(100)上沉积制备了ZnS薄膜,并在300,400,500 ℃下退火1 h.用X射线衍射(XRD)仪、紫外/可见光/近红外分光光度计、台阶仪和原子力显微镜(AFM)分别对不同衬底上样品的特征进行了观察.结果表明,玻璃上的ZnS薄膜只在28.5°附近存在着(111)方向的高度取向生长.在可见光范围内透射率为60%～90%.计算显示薄膜的光学带隙在3.46～3.53 eV之间,其小于体材料带隙的原因在于硫元素的缺失.根据光学带隙判断薄膜是单晶立方结构的β-ZnS.Si(100)上生长的是多晶ZnS薄膜:500 ℃下退火后,表面也比未退火表面更加平整致密,变化规律与ZnS/glass的类似.说明高温下退火可以有效地促进晶粒的结合并改善薄膜质量.
재200 ℃하이용격광침적기술분별재파리화Si(100)상침적제비료ZnS박막,병재300,400,500 ℃하퇴화1 h.용X사선연사(XRD)의、자외/가견광/근홍외분광광도계、태계의화원자력현미경(AFM)분별대불동츤저상양품적특정진행료관찰.결과표명,파리상적ZnS박막지재28.5°부근존재착(111)방향적고도취향생장.재가견광범위내투사솔위60%～90%.계산현시박막적광학대극재3.46～3.53 eV지간,기소우체재료대극적원인재우류원소적결실.근거광학대극판단박막시단정립방결구적β-ZnS.Si(100)상생장적시다정ZnS박막:500 ℃하퇴화후,표면야비미퇴화표면경가평정치밀,변화규률여ZnS/glass적유사.설명고온하퇴화가이유효지촉진정립적결합병개선박막질량.