InGaAsSb/InP的MBE生长及特性
InGaAsSb/InP적MBE생장급특성
Growth and Characterization of InGaAsSb on InP Substrate by Molecular Beam Epitaxy
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2009年 5期 630-633 ,共4页

    李占国%刘国军%尤明慧%李林%金哲军%李梅%王勇%王晓华

    리점국%류국군%우명혜%리림%금철군%리매%왕용%왕효화

    分子束外延%锑化物%表面形貌%X射线双晶衍射 分子束外延%銻化物%錶麵形貌%X射線雙晶衍射
    분자속외연%제화물%표면형모%X사선쌍정연사
    研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响.实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL)谱等方法研究了InGaAsSb薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特性.通过控制生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,获得了X射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料.
    연구료InP기InGaAsSb외연재료수생장온도화Ⅴ/Ⅲ비적영향.실험중이용고능전자연사(RHHEED)감측획득료합괄적생장온도화Ⅴ/Ⅲ비,채용소묘전자현미경 (SEM)、X사선광전자능보(XPS)、X사선쌍정연사(XRDCD)화광치발광(PL)보등방법연구료InGaAsSb박막재료적표면형모、결정질량화발광특성.통과공제생장온도화Ⅴ/Ⅲ비,획득료X사선연사봉반봉전관교착적고질량적외연재료.
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