发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2009年
5期
575-579
,共5页
陈杰%刘国营%罗时军%吴波英%彭菊村%赵杰%胡永金%张西平
陳傑%劉國營%囉時軍%吳波英%彭菊村%趙傑%鬍永金%張西平
진걸%류국영%라시군%오파영%팽국촌%조걸%호영금%장서평
磷离子注入%双量子阱%量子阱混合
燐離子註入%雙量子阱%量子阱混閤
린리자주입%쌍양자정%양자정혼합
phosphorus ion implantation%double quantum wells%quantum well intermixing
叙述了磷离子注入方法诱导具有不同发射波长的InGaAsP双量子阱结构的混合,并通过光致发光谱和断面透射电子显微术对量子阱混合的程度进行了研究.在特定条件下快速热退火处理后,光致发光谱显示,在离子注入剂量低于7×1011/cm2情况下,两个阱的谱峰能保持较好的分离,注入剂量从1011 /cm2增大到1012/cm2的过程中,两个阱的带隙蓝移值都似乎存在一个极大值,并且在同样的条件下,上阱(发射波长为1.52 μm)的带隙蓝移值较下阱(发射波长为1.59 μm)大些.当离子注入剂量达到1012/cm2时,上阱的谱峰近乎消失,双阱光致发光谱出现了一个谱峰.用断面透射电子显微术对原生长样品与带隙蓝移具有极大值的退火样品进行微结构比较,结果显示,对比原生长样品,退火样品的晶格原子基本得到修复,但阱与垒间的界面显得模糊,这说明离子注入导致两阱完全混合.
敘述瞭燐離子註入方法誘導具有不同髮射波長的InGaAsP雙量子阱結構的混閤,併通過光緻髮光譜和斷麵透射電子顯微術對量子阱混閤的程度進行瞭研究.在特定條件下快速熱退火處理後,光緻髮光譜顯示,在離子註入劑量低于7×1011/cm2情況下,兩箇阱的譜峰能保持較好的分離,註入劑量從1011 /cm2增大到1012/cm2的過程中,兩箇阱的帶隙藍移值都似乎存在一箇極大值,併且在同樣的條件下,上阱(髮射波長為1.52 μm)的帶隙藍移值較下阱(髮射波長為1.59 μm)大些.噹離子註入劑量達到1012/cm2時,上阱的譜峰近乎消失,雙阱光緻髮光譜齣現瞭一箇譜峰.用斷麵透射電子顯微術對原生長樣品與帶隙藍移具有極大值的退火樣品進行微結構比較,結果顯示,對比原生長樣品,退火樣品的晶格原子基本得到脩複,但阱與壘間的界麵顯得模糊,這說明離子註入導緻兩阱完全混閤.
서술료린리자주입방법유도구유불동발사파장적InGaAsP쌍양자정결구적혼합,병통과광치발광보화단면투사전자현미술대양자정혼합적정도진행료연구.재특정조건하쾌속열퇴화처리후,광치발광보현시,재리자주입제량저우7×1011/cm2정황하,량개정적보봉능보지교호적분리,주입제량종1011 /cm2증대도1012/cm2적과정중,량개정적대극람이치도사호존재일개겁대치,병차재동양적조건하,상정(발사파장위1.52 μm)적대극람이치교하정(발사파장위1.59 μm)대사.당리자주입제량체도1012/cm2시,상정적보봉근호소실,쌍정광치발광보출현료일개보봉.용단면투사전자현미술대원생장양품여대극람이구유겁대치적퇴화양품진행미결구비교,결과현시,대비원생장양품,퇴화양품적정격원자기본득도수복,단정여루간적계면현득모호,저설명리자주입도치량정완전혼합.
