稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2009年
11期
1983-1986
,共4页
邱永鑫%李美成%熊敏%张宝顺%刘国军%赵连城
邱永鑫%李美成%熊敏%張寶順%劉國軍%趙連城
구영흠%리미성%웅민%장보순%류국군%조련성
分子束外延%异质结%超品格%Sb/As交换反应
分子束外延%異質結%超品格%Sb/As交換反應
분자속외연%이질결%초품격%Sb/As교환반응
MBE%heterostructures%superlattice%Sb/As exchange
利用分子束外延(MBE)技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对Sb/As交换反应进行研究.实验表明,随着衬底温度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降.而Sb束流大小和暴露在Sb束流中的时间对GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影响很小.这说明Sb与GaAs中的As原子的交换反应仅发生在GaAs表层,Sb原子在GaAs中的扩散距离很短.
利用分子束外延(MBE)技術,在GaAs襯底上生長瞭高質量的GaAs/GaAsSb超晶格,併通過高分辨X射線衍射(HRXRD)技術對Sb/As交換反應進行研究.實驗錶明,隨著襯底溫度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降.而Sb束流大小和暴露在Sb束流中的時間對GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影響很小.這說明Sb與GaAs中的As原子的交換反應僅髮生在GaAs錶層,Sb原子在GaAs中的擴散距離很短.
이용분자속외연(MBE)기술,재GaAs츤저상생장료고질량적GaAs/GaAsSb초정격,병통과고분변X사선연사(HRXRD)기술대Sb/As교환반응진행연구.실험표명,수착츤저온도적승고,Sb해흡부속도증가,재Sb속류작용하형성적GaAs/GaAsSb초정격중적Sb함량하강.이Sb속류대소화폭로재Sb속류중적시간대GaAs/GaAsSb초정격중적Sb함량영향흔소.저설명Sb여GaAs중적As원자적교환반응부발생재GaAs표층,Sb원자재GaAs중적확산거리흔단.
