电子科技
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전자과기
IT AGE
2014年
4期
69-71,75
,共4页
汪凌%唐利%廖晓航%任利平
汪凌%唐利%廖曉航%任利平
왕릉%당리%료효항%임리평
CCD%放大器%寿命%热载流子效应
CCD%放大器%壽命%熱載流子效應
CCD%방대기%수명%열재류자효응
针对CCD片上放大器的寿命进行了研究.通过设计独立的MOSFET,使用衬底电流模型进行热载流子效应分析,研究其特性参数Gm退化量与退化时间关系,由此评价组成CCD片上放大器的寿命.研究结果表明,CCD片上放大器寿命随着栅长的减小而降低,制作LDD结构可提高CCD片上放大器寿命.
針對CCD片上放大器的壽命進行瞭研究.通過設計獨立的MOSFET,使用襯底電流模型進行熱載流子效應分析,研究其特性參數Gm退化量與退化時間關繫,由此評價組成CCD片上放大器的壽命.研究結果錶明,CCD片上放大器壽命隨著柵長的減小而降低,製作LDD結構可提高CCD片上放大器壽命.
침대CCD편상방대기적수명진행료연구.통과설계독립적MOSFET,사용츤저전류모형진행열재류자효응분석,연구기특성삼수Gm퇴화량여퇴화시간관계,유차평개조성CCD편상방대기적수명.연구결과표명,CCD편상방대기수명수착책장적감소이강저,제작LDD결구가제고CCD편상방대기수명.
